WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018063391) PIXEL MULTICOLORE MONOLITHIQUE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE HAUTE PERFORMANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063391    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/054991
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 33/26 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/02 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : AHMED, Khaled; (US)
Mandataire : PORTNOVA, Marina; (US).
TAM, Steven K.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH PERFORMANCE LIGHT EMITTING DIODE AND MONOLITHIC MULTI-COLOR PIXEL
(FR) PIXEL MULTICOLORE MONOLITHIQUE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE HAUTE PERFORMANCE
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus including a red LED and monolithic multicolor LED pixel and a method of fabricating an LED device is disclosed. The method includes providing a substrate for the wafer. The method also includes forming a light emitting diode (LED) using Hydrazine to dispose above the substrate an Indium Gallium Nitride (InGaN) layer of the LED.
(FR)L'invention concerne un appareil comprenant une DEL rouge et un pixel de DEL multicolore monolithique et un procédé de fabrication d'un dispositif à DEL. Le procédé comprend la fourniture d'un substrat pour la tranche. Le procédé comprend également la formation d'une diode électroluminescente (DEL) à l'aide d'hydrazine à disposer au-dessus du substrat une couche de nitrure d'indium-gallium (InGaN) de la DEL.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)