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1. (WO2018063381) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR AYANT UN CANAL D'AMPLIFICATION D'IMPÉDANCE
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N° de publication : WO/2018/063381 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054943
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 23/64 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/10 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
64
Dispositions relatives à l'impédance
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
10
les dispositifs ayant des conteneurs séparés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
CHEAH, Bok Eng; MY
KONG, Jackson Chung Peng; MY
YONG, Khang Choong; MY
YAW, Po Yin; MY
TEH, Kok Hou; MY
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING AN IMPEDANCE-BOOSTING CHANNEL
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR AYANT UN CANAL D'AMPLIFICATION D'IMPÉDANCE
Abrégé :
(EN) Semiconductor package assemblies and semiconductor packages incorporating an impedance-boosting channel between a transmitter die and a receiver die are described. In an example, a semiconductor package includes a package substrate incorporating the impedance-boosting channel having a first arc segment connected to the transmitter die and a second arc segment connected to the receiver die. The arc segments extend around respective vertical axes passing through a transmitter die electrical bump and a receiver die electrical bump, respectively. Accordingly, the arc segments introduce an inductive circuitry to increase signal integrity of an electrical signal sent from the transmitter die to the receiver die.
(FR) L'invention concerne des assemblages boîtiers de semi-conducteur et des boîtiers de semi-conducteur incorporant un canal d'amplification d'impédance entre une puce émettrice et une puce réceptrice. Dans un exemple, un boîtier de semi-conducteur comprend un substrat de boîtier incorporant le canal d'amplification d'impédance ayant un premier segment d'arc connecté à la puce émettrice et un second segment d'arc connecté à la puce réceptrice. Les segments d'arc s'étendent autour d'axes verticaux respectifs passant à travers une bosse électrique de puce émettrice et une bosse électrique de puce réceptrice, respectivement. Ainsi, les segments d'arc introduisent un circuit inductif pour augmenter l'intégrité de signal d'un signal électrique envoyé de la puce émettrice à la puce de réceptrice.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)