WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018063378) DISPOSITIFS RÉSONATEURS ACOUSTIQUES DE VOLUME EN COUCHE MINCE (FBAR) POUR FILTRES RF À HAUTE FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063378    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/054933
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H03H 9/02 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01), H03H 9/15 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : DASGUPTA, Sansaptak; (US).
BLOCK, Bruce A.; (US).
FISCHER, Paul B.; (US).
THEN, Han Wui; (US).
RADOSAVLJEVIC, Marko; (US)
Mandataire : SICARD, Keri E.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR (FBAR) DEVICES FOR HIGH FREQUENCY RF FILTERS
(FR) DISPOSITIFS RÉSONATEURS ACOUSTIQUES DE VOLUME EN COUCHE MINCE (FBAR) POUR FILTRES RF À HAUTE FRÉQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)Techniques are disclosed for forming high frequency film bulk acoustic resonator (FBAR) devices having multiple resonator thicknesses on a common substrate. A piezoelectric stack is formed in an STI trench and overgrown onto the STI material. In some cases, the piezoelectric stack can include epitaxially grown AlN. In some cases, the piezoelectric stack can include single crystal (epitaxial) AlN in combination with polycrystalline (e.g., sputtered) AlN. The piezoelectric stack thus forms a central portion having a first resonator thickness and end wings extending from the central portion having a different resonator thickness. Each wing may also have different thicknesses. Thus, multiple resonator thicknesses can be achieved on a common substrate, and hence, multiple resonant frequencies on that same substrate. The end wings can have metal electrodes formed thereon, and the central portion can have a plurality of IDT electrodes patterned thereon.
(FR)L'invention concerne des techniques pour former des dispositifs résonateurs acoustiques de volume en couche mince (FBAR) ayant de multiples épaisseurs de résonateur sur un substrat commun. Un empilement piézoélectrique est formé dans une tranchée STI et mis en croissance sur le matériau STI. Dans certains cas, l'empilement piézoélectrique peut comprendre de l'AlN à croissance épitaxiale. Dans certains cas, l'empilement piézoélectrique peut comprendre un AlN monocristallin (épitaxial) en combinaison avec de l'AlN polycristallin (par exemple pulvérisé). L'empilement piézoélectrique forme ainsi une portion centrale ayant une première épaisseur de résonateur et des ailes d'extrémité s'étendant à partir de la portion centrale et ayant une épaisseur de résonateur différente. Chaque aile peut également avoir des épaisseurs différentes. Ainsi, de multiples épaisseurs de résonateur peuvent être obtenues sur un substrat commun, et par conséquent, de multiples fréquences de résonance sur ce même substrat. Les ailes d'extrémité peuvent comporter des électrodes métalliques formées sur celles-ci, et la portion centrale peut avoir une pluralité d'électrodes IDT formées sur celle-ci.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)