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1. (WO2018063375) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES POUR INTÉGRER UN CIRCUIT LOGIQUE, UNE MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE INTÉGRÉE ET UNE MÉMOIRE VIVE FERROÉLECTRIQUE NON VOLATILE INTÉGRÉE (FERAM) SUR UNE MÊME PUCE SEMI-CONDUCTRICE

Pub. No.:    WO/2018/063375    International Application No.:    PCT/US2016/054918
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 27/105
H01L 27/108
H01L 27/115
H01L 27/06
H01L 25/065
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: KARPOV, Ilya
WANG, Yih
HAMZAOGLU, Fatih
CLARKE, James
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES POUR INTÉGRER UN CIRCUIT LOGIQUE, UNE MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE INTÉGRÉE ET UNE MÉMOIRE VIVE FERROÉLECTRIQUE NON VOLATILE INTÉGRÉE (FERAM) SUR UNE MÊME PUCE SEMI-CONDUCTRICE
Abstract:
L'invention concerne un appareil. L'appareil comprend une puce semi-conductrice qui comprend un circuit logique, des cellules de mémoire vive dynamique intégrée (DRAM) et des cellules de mémoire vive ferroélectrique intégrée (FeRAM).