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1. (WO2018063374) CONCEPTIONS DE COUCHE DE BLOCAGE D'ÉLECTRONS POUR DEL GAN EFFICACE

Pub. No.:    WO/2018/063374    International Application No.:    PCT/US2016/054915
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 33/00
H01L 33/14
H01L 33/04
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: THEN, Han Wui
DASGUPTA, Sansaptak
RADOSAVLJEVIC, Marko
Title: CONCEPTIONS DE COUCHE DE BLOCAGE D'ÉLECTRONS POUR DEL GAN EFFICACE
Abstract:
Les modes de réalisation de l'invention incluent une DEL GaN, et des procédés de formation de tels dispositifs. Dans un mode de réalisation, la DEL GaN peut comprendre une couche GaN dopée p et une couche de blocage d'électrons formée sur la couche GaN dopée p. La couche de blocage d'électrons peut être une couche d'AlXGaYIn1_X_YN. Des modes de réalisation peuvent également comprendre une première couche barrière formée sur la couche de blocage d'électrons, une couche de puits quantique formée sur la couche de blocage d'électrons, et une seconde couche barrière formée sur la couche de puits quantique. Dans un mode de réalisation, la DEL GaN peut également comprendre une couche GaN dopée n formée sur la seconde couche barrière. Selon un mode de réalisation, un diagramme de bande interdite de la DEL comprend une région de blocage d'électrons dans la bande de conduction de la couche de blocage d'électrons, et aucune région de blocage de trou n'est formée dans la bande de valence de la couche de blocage d'électrons.