Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018063370) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR POUR INTÉGRER UN CIRCUIT LOGIQUE, MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE INTÉGRÉE ET MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE NON VOLATILE INTÉGRÉE (RRAM) SUR UNE MÊME PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/063370    International Application No.:    PCT/US2016/054906
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 27/105
H01L 27/108
H01L 45/00
H01L 25/065
H01L 27/06
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: KARPOV, Elijah Ilya V.
WANG, Yih
MUKHERJEE, Niloy
MAJHI, Prashant
PILLARISETTY, Ravi
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR POUR INTÉGRER UN CIRCUIT LOGIQUE, MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE INTÉGRÉE ET MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE NON VOLATILE INTÉGRÉE (RRAM) SUR UNE MÊME PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
Cette invention concerne un appareil. L'appareil comprend une puce semi-conductrice qui comprend des circuits logiques, des cellules de mémoire vive dynamique intégrée (DRAM) et des cellules de mémoire vive résistive intégrée (RRAM).