WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018063369) AFFICHEUR À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES INORGANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063369    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/054902
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H05B 33/22 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : AHMED, Khaled; (US).
MAJHI, Prashant; (US).
BAN, Ibrahim; (US).
PARIKH, Kunjal; (US)
Mandataire : RICHARDS, Edwin E.; (US).
TROP, Timothy N.; (US).
ROZMAN, Mark J.; (US).
GARZA, John C.; (US).
PRUNER JR., Fred G.; (US).
RIFAI, D'Ann Naylor; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY
(FR) AFFICHEUR À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES INORGANIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An embodiment includes an apparatus comprising: a thin film transistor (TFT) coupled to a substrate; a first dielectric layer on the TFT; an inorganic first light emitting diode (LED) on the first dielectric layer; and a second dielectric layer including the first LED; wherein: (a)(i) a surface of the first dielectric layer is planarized; and (a)(ii) the first LED is on the planarized surface of the first dielectric layer. Other embodiments are described herein.
(FR)Un mode de réalisation comprend un appareil comprenant: un transistor à couches minces (TFT) couplé à un substrat; une première couche diélectrique sur le TFT; une première diode électroluminescente inorganique (DEL) sur la première couche diélectrique; et une seconde couche diélectrique comprenant la première DEL; dans cet appareil: (a)(i) une surface de la première couche diélectrique est planarisée; et (a)(ii) la première DEL se trouve sur la surface planarisée de la première couche diélectrique. D'autres modes de réalisation sont décrits ici.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)