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1. (WO2018063365) CAPUCHON D'EXTRÉMITÉ À DOUBLE AILETTE POUR ARCHITECTURES DE BORD DE GRILLE AUTO-ALIGNÉES (SAGE)
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N° de publication : WO/2018/063365 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054896
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 29/78][IPC code unknown for H01L 29/66][IPC code unknown for H01L 29/417][IPC code unknown for H01L 29/06]
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
HAFEZ, Walid M.; US
OLAC-VAW, Roman W.; US
JAN, Chia-Hong; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DUAL FIN ENDCAP FOR SELF-ALIGNED GATE EDGE (SAGE) ARCHITECTURES
(FR) CAPUCHON D'EXTRÉMITÉ À DOUBLE AILETTE POUR ARCHITECTURES DE BORD DE GRILLE AUTO-ALIGNÉES (SAGE)
Abrégé :
(EN) Dual fin endcaps for self-aligned gate edge architectures, and methods of fabricating dual fin endcaps for self-aligned gate edge architectures, are described. In an example, a semiconductor structure includes an I/O device having a first plurality of semiconductor fins disposed above a substrate and protruding through an uppermost surface of a trench isolation layer. A logic device having a second plurality of semiconductor fins is disposed above the substrate and protrudes through the uppermost surface of the trench isolation layer. A gate edge isolation structure is disposed between the I/O device and the logic device. A semiconductor fin of the first plurality of semiconductor fins closest to the gate edge isolation structure is spaced farther from the gate edge isolation structure than a semiconductor fin of the second plurality of semiconductor fins closest to the gate edge isolation structure.
(FR) L'invention concerne des capuchons d'extrémité à double ailette pour des architectures de bord de grille auto-alignées, et des procédés de fabrication de capuchons d'extrémité à double ailette pour des architectures de bord de grille auto-alignées. Dans un exemple, une structure semi-conductrice comprend un dispositif d'entrée/sortie, E/S, ayant une première pluralité d'ailettes semi-conductrices disposées au-dessus d'un substrat et faisant saillie à travers une surface supérieure d'une région d'isolation de tranchée. Un dispositif logique ayant une seconde pluralité d'ailettes semi-conductrices est disposé au-dessus du substrat et fait saillie à travers la surface supérieure de la couche d'isolation de tranchée. Une structure d'isolation de bord de grille est disposée entre le dispositif E/S et le dispositif logique. Une ailette semi-conductrice de la première pluralité d'ailettes semi-conductrices la plus proche de la structure d'isolation de bord de grille est espacée de la structure d'isolation de bord de grille et disposée plus loin qu'une ailette semi-conductrice de la seconde pluralité d'ailettes semi-conductrices se trouvant la plus proche de la structure d'isolation de bord de grille.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)