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1. (WO2018063363) RÉSISTANCE DE TRANSISTOR RÉDUITE À L'AIDE D'UNE COUCHE DOPÉE

Pub. No.:    WO/2018/063363    International Application No.:    PCT/US2016/054889
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 29/49
H01L 29/66
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: HUANG, Cheng-Ying
METZ, Matthew V.
DEWEY, Gilbert
RACHMADY, Willy
KAVALIEROS, Jack T.
MA, Sean T.
Title: RÉSISTANCE DE TRANSISTOR RÉDUITE À L'AIDE D'UNE COUCHE DOPÉE
Abstract:
Un mode de réalisation comprend un transistor comprenant : des première, seconde et troisième couches comprenant chacune un matériau du groupe III-V; un canal inclus dans la deuxième couche, qui se trouve entre les première et troisième couches; et une grille ayant des première et seconde portions de grille; (a) (i) les première et troisième couches étant dopées, (a) (ii) le canal se trouve entre les première et seconde portions de grille et la seconde portion de grille se trouve entre le canal et un substrat, (a) (iii) un premier axe coupe les première, seconde, et troisième couches mais pas la première portion de grille, et (a) (iv) un second axe, parallèle au premier axe, coupe les première et seconde portions de grille et le canal. D'autres modes de réalisation sont décrits ici.