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1. (WO2018063360) COUCHE DE SILICIUM CONTRAINT À SOUS-COUCHE RELAXÉE

Pub. No.:    WO/2018/063360    International Application No.:    PCT/US2016/054882
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/203
H01L 21/02
H01L 21/768
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: CHU-KUNG, Benjamin
LE, Van H.
AGRAWAL, Ashish
KAVALIEROS, Jack T.
METZ, Matthew V.
SUNG, Seung Hoon
RIOS, Rafael
DEWEY, Gilbert
Title: COUCHE DE SILICIUM CONTRAINT À SOUS-COUCHE RELAXÉE
Abstract:
Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un dispositif pourvu d'un substrat et d'une couche diélectrique située sur le substrat et comprenant une tranchée, une première partie de la tranchée comprenant un premier matériau comportant un matériau du groupe III-V et/ou un matériau du groupe IV, et une seconde partie de la tranchée, située entre la première partie et le substrat, comprenant un second matériau et des zones supérieure et inférieure, (a)(i) le second matériau dans la zone supérieure possédant moins de défauts que le second matériau dans la zone inférieure, et (a)(ii) le premier matériau étant contraint. D'autres modes de réalisation sont décrits.