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1. (WO2018063356) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À FAIBLE PUISSANCE ET À EXTENSIBILITÉ ÉLEVÉE

Pub. No.:    WO/2018/063356    International Application No.:    PCT/US2016/054865
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 29/792
H01L 29/66
H01L 29/423
Applicants: INTEL CORPORATION
MA, Sean T.
DEWEY, Gilbert
RACHMADY, Willy
KENNEL, Harold
MOHAPATRA, Chandra
METZ, Matthew V.
KAVALIEROS, Jack
MURTHY, Anand
GHANI, Tahir
HUANG, Cheng-Ying
Inventors: MA, Sean T.
DEWEY, Gilbert
RACHMADY, Willy
KENNEL, Harold
MOHAPATRA, Chandra
METZ, Matthew V.
KAVALIEROS, Jack
MURTHY, Anand
GHANI, Tahir
HUANG, Cheng-Ying
Title: DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À FAIBLE PUISSANCE ET À EXTENSIBILITÉ ÉLEVÉE
Abstract:
Une couche semi-conductrice est déposée sur une couche de sous-ailette sur un substrat. Une couche de piégeage de charge est déposée sur une partie de la couche semi-conductrice. La couche semi-conductrice présente une résistivité thermique et/ou une vitesse de support supérieure à celle du silicium.