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1. (WO2018063351) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEURS À INTERCONNEXIONS HAUTE DENSITÉ

Pub. No.:    WO/2018/063351    International Application No.:    PCT/US2016/054856
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 25/065
H01L 23/00
H01L 23/498
H01L 23/538
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: ELSHERBINI, Adel A.
SWAN, Johanna M.
LIFF, Shawna M.
BRAUNISCH, Henning
BHARATH, Krishna
SOTO GONZALEZ, Javier
FALCON, Javier A.
Title: BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEURS À INTERCONNEXIONS HAUTE DENSITÉ
Abstract:
Selon divers modes de réalisation, la présente invention se rapporte à un boîtier de semi-conducteurs. Le présent boîtier semi-conducteur comprend un substrat. Le substrat est constitué de couches conductrices et de couches diélectriques alternées. Un premier composant électronique actif est disposé sur une surface externe du substrat, et un second composant électronique actif est au moins partiellement incorporé dans le substrat. Une première zone d'interconnexion est constituée d'une pluralité d'interconnexions entre les premier et second composants électroniques actifs. Entre le premier composant électronique actif et le substrat, une deuxième région d'interconnexion est constituée d'une pluralité d'interconnexions. De plus, une troisième région d'interconnexion est constituée d'une pluralité d'interconnexions entre le second composant électronique actif et le substrat.