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1. (WO2018063347) SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR METTRE EN ŒUVRE UN OXYDE SEMI-CONDUCTEUR À FAIBLE RÉSISTANCE DE CONTACT À MOBILITÉ ÉLEVÉE DANS DES TROUS D'INTERCONNEXION DE CONTACT MÉTALLIQUE POUR TRANSISTORS À COUCHES MINCES
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N° de publication : WO/2018/063347 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054847
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 29/10 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10
avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
DEWEY, Gilbert; US
LE, Van H.; US
RIOS, Rafael; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
SHIVARAMAN, Shriram; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SYSTEMS, METHODS, AND APPARATUSES FOR IMPLEMENTING A HIGH MOBILITY LOW CONTACT RESISTANCE SEMICONDUCTING OXIDE IN METAL CONTACT VIAS FOR THIN FILM TRANSISTORS
(FR) SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR METTRE EN ŒUVRE UN OXYDE SEMI-CONDUCTEUR À FAIBLE RÉSISTANCE DE CONTACT À MOBILITÉ ÉLEVÉE DANS DES TROUS D'INTERCONNEXION DE CONTACT MÉTALLIQUE POUR TRANSISTORS À COUCHES MINCES
Abrégé :
(EN) In accordance with disclosed embodiments, there are provided systems, methods, and apparatuses for implementing a high mobility low contact resistance semiconducting oxide in metal contact vias for thin film transistors. For instance, there is disclosed in accordance with one embodiment an oxide semiconductor transistor, having therein: a substrate layer; a channel layer formed atop the substrate; a metal gate and a gate oxide material formed atop the semiconducting oxide material of the channel layer; spacers positioned adjacent to the gate and gate oxide material; a dielectric layer formed atop the channel layer, the dielectric layer encompassing the spacers, the gate, and the gate oxide material; contact vias opened into the dielectric material forming an opening through the dielectric layer to the channel layer; a high mobility liner material lining the contact vias and in direct contact with the channel layer, the high mobility liner formed from a high mobility oxide material; and metallic contact material filling the contact vias opened into the dielectric material and separated from the channel layer by the high mobility liner of the contact vias. Other related embodiments are disclosed.
(FR) Conformément à des modes de réalisation de l'invention, l'invention concerne des systèmes, des procédés et des appareils pour mettre en œuvre un oxyde semi-conducteur à faible résistance de contact à mobilité élevée dans des trous d'interconnexion de contact métallique pour des transistors à couches minces. Par exemple, l'invention concerne, selon un mode de réalisation, un transistor métal-oxyde-semi-conducteur, comprenant : une couche de substrat ; une couche de canal formée au-dessus du substrat ; une grille métallique et un matériau d'oxyde de grille formés au-dessus du matériau d'oxyde semi-conducteur de la couche de canal ; des éléments d'espacement positionnés de manière adjacente à la grille et au matériau d'oxyde de grille ; une couche diélectrique formée au-dessus de la couche de canal, la couche diélectrique comprenant les éléments d'espacement, la grille et le matériau d'oxyde de grille ; des trous d'interconnexion de contact ouverts dans le matériau diélectrique formant une ouverture à travers la couche diélectrique vers la couche de canal ; un matériau de revêtement à mobilité élevée recouvrant les trous d'interconnexion de contact et en contact direct avec la couche de canal, le revêtement à haute mobilité étant constitué d'un matériau à base d'oxyde à mobilité élevée ; et un matériau de contact métallique remplissant les trous d'interconnexion de contact ouverts dans le matériau diélectrique et séparé de la couche de canal par le revêtement à mobilité élevée des trous d'interconnexion de contact. L'invention concerne également d'autres modes de réalisation associés.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)