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1. (WO2018063346) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS POUR ÉLIMINER DES DÉFAUTS ÉPITAXIAUX DANS DES SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2018/063346    International Application No.:    PCT/US2016/054846
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/78
H01L 21/02
H01L 21/768
H01L 21/762
H01L 21/302
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: LILAK, Aaron D.
MEHANDRU, Rishabh
MORROW, Patrick
KEYS, Patrick H.
Title: PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS POUR ÉLIMINER DES DÉFAUTS ÉPITAXIAUX DANS DES SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
L'invention concerne des procédés et dispositifs pour éliminer des défauts épitaxiaux dans des semi-conducteurs. Une structure de matrice multicouche décrite à titre d'exemple comprend une ailette ayant un premier matériau, l'ailette étant formée par croissance épitaxiale à partir d'une première couche de substrat ayant un second matériau, et une portion de défaut de l'ailette étant gravée ou polie. La structure de matrice multicouche décrite à titre d'exemple comprend également une seconde couche de substrat ayant une ouverture à travers laquelle s'étend l'ailette.