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1. (WO2018063344) MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES REMPLIS DE PORES POUR LA FABRICATION DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063344    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/054844
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : TORRES, Jessica M.; (US).
BIELEFELD, Jeffery D.; (US).
KOBRINSKY, Mauro J.; (US).
JEZEWSKI, Christopher J.; (US).
BHIMARASETTI, Gopinath; (US)
Mandataire : BRASK, Justin, K.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PORE-FILLED DIELECTRIC MATERIALS FOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE FABRICATION AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES REMPLIS DE PORES POUR LA FABRICATION DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Pore-filled dielectric materials for semiconductor structure fabrication, and methods of fabricating pore-filled dielectric materials for semiconductor structure fabrication, are described. In an example, a method of fabricating a pore-filled dielectric material for semiconductor structure fabrication includes forming a trench in a material layer. The method also includes filling the trench with a porous dielectric material using a spin-on deposition process. The method also includes filling pores of the porous dielectric material with a metal-containing material using an atomic layer deposition (ALD) process.
(FR)L'invention concerne des matériaux diélectriques remplis de pores pour la fabrication de structures semi-conductrices, et des procédés de fabrication de matériaux diélectriques remplis de pores pour la fabrication de structures semi-conductrices. Dans un exemple, un procédé de fabrication d'un matériau diélectrique rempli de pores pour la fabrication de structure semi-conductrice consiste à former une tranchée dans une couche de matériau. Le procédé comprend également le remplissage de la tranchée avec un matériau diélectrique poreux à l'aide d'un procédé de dépôt par centrifugation. Le procédé comprend également le remplissage de pores du matériau diélectrique poreux avec un matériau contenant du métal à l'aide d'un procédé de dépôt de couche atomique (ALD).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)