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1. (WO2018063343) SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS DE MISE EN ŒUVRE D'OXYDES SEMI-CONDUCTEURS BICOUCHES DANS UNE SOURCE ET UN DRAIN POUR UN ACCÈS FAIBLE ET UNE RÉSISTANCE DE CONTACT DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES
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N° de publication :    WO/2018/063343    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/054841
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : DEWEY, Gilbert; (US).
LE, Van H.; (US).
RIOS, Rafael; (US).
SHIVARAMAN, Shriram; (US).
KAVALIEROS, Jack T.; (US).
RADOSAVLJEVIC, Marko; (US)
Mandataire : BRASK, Justin, K.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SYSTEMS, METHODS, AND APPARATUSES FOR IMPLEMENTING BI-LAYER SEMICONDUCTING OXIDES IN SOURCE AND DRAIN FOR LOW ACCESS AND CONTACT RESISTANCE OF THIN FILM TRANSISTORS
(FR) SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS DE MISE EN ŒUVRE D'OXYDES SEMI-CONDUCTEURS BICOUCHES DANS UNE SOURCE ET UN DRAIN POUR UN ACCÈS FAIBLE ET UNE RÉSISTANCE DE CONTACT DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES
Abrégé : front page image
(EN)In accordance with disclosed embodiments, there are provided systems, methods, and apparatuses for implementing bi-layer semiconducting oxides in a source/drain for low access and contact resistance of thin film transistors. For instance, there is disclosed in accordance with one embodiment a semiconductor device having therein a substrate; a bi-layer oxides layer formed from a first oxide material and a second oxide material, the first oxide material comprising a semiconducting oxide material and having different material properties from the second oxide material comprising a high mobility oxide material; a channel layer formed atop the substrate, the channel layer formed from the semiconducting oxide material of the bi-layer oxides layer; a high mobility oxide layer formed atop the channel layer, the high conductivity oxide layer formed from the high mobility oxide material of the bi-layer oxides layer; metallic contacts formed atop the high mobility oxide layer; a gate and a gate oxide material formed atop the high mobility oxide layer, the gate oxide material being in direct contact with the high mobility oxide layer; and spacers separating the metallic contacts from the gate and gate oxide material. Other related embodiments are disclosed.
(FR)Selon les modes de réalisation de l'invention, l'invention concerne des systèmes, des procédés et des appareils pour mettre en œuvre des oxydes semi-conducteurs bicouches dans une source/un drain pour un accès faible et une résistance de contact de transistors à couches minces. Par exemple, l'invention concerne, selon un mode de réalisation, un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat ; une couche d'oxydes bicouches constituée d'un premier matériau d'oxyde et d'un second matériau d'oxyde, le premier matériau d'oxyde comprenant un matériau d'oxyde semi-conducteur et ayant des propriétés de matériau différentes de celles du second matériau d'oxyde comprenant un matériau d'oxyde à mobilité élevée ; une couche de canal formée au-dessus du substrat, la couche de canal étant constituée du matériau d'oxyde semi-conducteur de la couche d'oxydes bicouches ; une couche d'oxyde à mobilité élevée formée au-dessus de la couche de canal, la couche d'oxyde à conductivité élevée étant constituée du matériau d'oxyde à mobilité élevée de la couche d'oxydes bicouches ; des contacts métalliques formés au-dessus de la couche d'oxyde à mobilité élevée ; une grille et un matériau d'oxyde de grille formés au-dessus de la couche d'oxyde à mobilité élevée, le matériau d'oxyde de grille étant en contact direct avec la couche d'oxyde à mobilité élevée ; et des entretoises séparant les contacts métalliques de la grille et du matériau d'oxyde de grille. L'invention concerne également d'autres modes de réalisation associés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)