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1. (WO2018063325) ROTATION DE RÉSEAU D'OUVERTURES POUR AMÉLIORER LA MARGE DE TRAITEMENT DE FAISCEAU ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/063325 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054781
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 1/78 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
68
Procédés de préparation non couverts par les groupes G03F1/20-G03F1/50105
76
Création des motifs d'un masque par imagerie
78
par un faisceau de particules chargées [CPB charged particle beam], p.ex. création des motifs d'un masque par un faisceau d'électrons
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
TANDON, Shakul; US
PHILLIPS, Mark C.; US
OGADHOH, Shem O.; US
SWANSON, John A.; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APERTURE ARRAY ROTATION TO ENHANCE EBEAM PROCESS MARGIN
(FR) ROTATION DE RÉSEAU D'OUVERTURES POUR AMÉLIORER LA MARGE DE TRAITEMENT DE FAISCEAU ÉLECTRONIQUE
Abrégé :
(EN) Lithographic apparatuses suitable for complementary e-beam lithography (CEBL) are described. In an example, method of forming a pattern for a semiconductor structure including forming a pattern of parallel lines above a substrate. The method also includes aligning the substrate in an e-beam tool to provide the pattern of parallel lines parallel with a scan direction of the e-beam tool. The e-beam tool includes a blanker aperture array (BAA) having a staggered pair of columns of openings along an array direction. The array direction has an acute rotation angle from an axis orthogonal to the scan direction. The method also includes forming a pattern of cuts or vias in or above the pattern of parallel lines to provide line breaks for the pattern of parallel lines by scanning the substrate along the scan direction.
(FR) L'invention concerne des appareils lithographiques appropriés pour la lithographie par faisceau d'électrons complémentaire (CEBL). Dans un exemple, un procédé de formation d'un motif pour une structure semi-conductrice comprend la formation d'un motif de lignes parallèles au-dessus d'un substrat. Le procédé comprend également l'alignement du substrat dans un outil à faisceau électronique pour former le motif de lignes parallèles parallèles à une direction de balayage de l'outil à faisceau électronique. L'outil à faisceau électronique comprend un réseau d'ouvertures de suppression (BAA) ayant une paire décalée de colonnes d'ouvertures le long d'une direction de réseau. La direction de réseau a un angle de rotation aigu par rapport à un axe orthogonal à la direction de balayage. Le procédé comprend également la formation d'un motif de découpes ou de trous d'interconnexion dans ou au-dessus du motif de lignes parallèles pour former des ruptures de lignes pour le motif de lignes parallèles par balayage du substrat le long de la direction de balayage.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)