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1. (WO2018063325) ROTATION DE RÉSEAU D'OUVERTURES POUR AMÉLIORER LA MARGE DE TRAITEMENT DE FAISCEAU ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063325    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/054781
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), G03F 1/78 (2012.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : TANDON, Shakul; (US).
PHILLIPS, Mark C.; (US).
OGADHOH, Shem O.; (US).
SWANSON, John A.; (US)
Mandataire : BRASK, Justin, K.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APERTURE ARRAY ROTATION TO ENHANCE EBEAM PROCESS MARGIN
(FR) ROTATION DE RÉSEAU D'OUVERTURES POUR AMÉLIORER LA MARGE DE TRAITEMENT DE FAISCEAU ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Lithographic apparatuses suitable for complementary e-beam lithography (CEBL) are described. In an example, method of forming a pattern for a semiconductor structure including forming a pattern of parallel lines above a substrate. The method also includes aligning the substrate in an e-beam tool to provide the pattern of parallel lines parallel with a scan direction of the e-beam tool. The e-beam tool includes a blanker aperture array (BAA) having a staggered pair of columns of openings along an array direction. The array direction has an acute rotation angle from an axis orthogonal to the scan direction. The method also includes forming a pattern of cuts or vias in or above the pattern of parallel lines to provide line breaks for the pattern of parallel lines by scanning the substrate along the scan direction.
(FR)L'invention concerne des appareils lithographiques appropriés pour la lithographie par faisceau d'électrons complémentaire (CEBL). Dans un exemple, un procédé de formation d'un motif pour une structure semi-conductrice comprend la formation d'un motif de lignes parallèles au-dessus d'un substrat. Le procédé comprend également l'alignement du substrat dans un outil à faisceau électronique pour former le motif de lignes parallèles parallèles à une direction de balayage de l'outil à faisceau électronique. L'outil à faisceau électronique comprend un réseau d'ouvertures de suppression (BAA) ayant une paire décalée de colonnes d'ouvertures le long d'une direction de réseau. La direction de réseau a un angle de rotation aigu par rapport à un axe orthogonal à la direction de balayage. Le procédé comprend également la formation d'un motif de découpes ou de trous d'interconnexion dans ou au-dessus du motif de lignes parallèles pour former des ruptures de lignes pour le motif de lignes parallèles par balayage du substrat le long de la direction de balayage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)