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1. (WO2018063319) TRANSISTORS BIPOLAIRES À HÉTÉROJONCTION FABRIQUÉS DE MANIÈRE ÉPITAXIALE
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N° de publication :    WO/2018/063319    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/054746
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/73 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : DASGUPTA, Sansaptak; (US).
RADOSAVLJEVIC, Marko; (US).
THEN, Han Wui; (US).
FISCHER, Paul B.; (US)
Mandataire : SMITH, Paul A.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) EPITAXIALLY FABRICATED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS BIPOLAIRES À HÉTÉROJONCTION FABRIQUÉS DE MANIÈRE ÉPITAXIALE
Abrégé : front page image
(EN)Techniques are disclosed for forming a heterojunction bipolar transistor (HBT) that includes a laterally grown epitaxial (LEO) base layer that is disposed between corresponding emitter and collector layers. Laterally growing the base layer of the HBT improves electrical and physical contact between electrical contacts to associated portions of the HBT device (e.g., a collector). By improving the quality of electrical and physical contact between a layer of an HBT device and corresponding electrical contacts, integrated circuits using HBTs are better able to operate at gigahertz frequency switching rates used for modern wireless communications.
(FR)L'invention concerne des techniques de formation d'un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) qui comprend une couche de base épitaxiale (LEO) à croissance latérale qui est disposée entre des couches d'émetteur et de collecteur correspondantes. La croissance latérale de la couche de base du HBT améliore le contact électrique et physique entre les contacts électriques avec des parties associées du dispositif HBT (par exemple, un collecteur). En améliorant la qualité du contact électrique et physique entre une couche d'un dispositif HBT et les contacts électriques correspondants, des circuits intégrés utilisant des HBT sont mieux aptes à fonctionner à des vitesses de commutation de fréquence gigahertz utilisées pour les communications sans fil modernes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)