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1. (WO2018063310) TRANSISTORS À EFFET TUNNEL COMPRENANT DES RÉGIONS DE SOURCE/DRAIN UTILISANT DIFFÉRENTS MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/063310 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054724
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/73 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : GLASS, Glenn A.; US
MURTHY, Anand S.; US
YOUNG, Ian A.; US
AVCI, Uygar E.; US
Mandataire : BRODSKY, Stephen I.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TUNNELING TRANSISTORS INCLUDING SOURCE/DRAIN REGIONS EMPLOYING DIFFERENT SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) TRANSISTORS À EFFET TUNNEL COMPRENANT DES RÉGIONS DE SOURCE/DRAIN UTILISANT DIFFÉRENTS MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN) Techniques are disclosed for forming tunneling transistors including source and drain (S/D) regions employing different material. Using material bandgap engineering, the techniques enhance the ability of transistor devices that employ quantum tunneling, such as tunnel field-effect transistors (TFETs) and Fermi filter FETs (FFFETs), to resist off-state leakage currents from source to drain (through the channel) and from source to ground/substrate. The material bandgap engineering can incorporate a material-based band offset component to control off-state leakage. Such a band offset can expand upon the limited energy band offset achievable using conventional material configurations (e.g., single composition material configurations), because with such conventional material configurations, above a threshold doping concentration, there is no additional decrease in leakage current for a given source to drain voltage at fixed dimensions. For example, increasing the band offset can increase the barrier that carriers must overcome to reach the channel region, thereby reducing off-state leakage.
(FR) La présente invention concerne des techniques de formation de transistors à effet tunnel comprenant des régions de source et de drain (S/D) utilisant différents matériaux. À l'aide d'une ingénierie de bande interdite de matériau, les techniques améliorent la capacité de dispositifs de transistors qui utilisent une tunnellisation quantique, tels que des transistors à effet de champ tunnel (TFET) et des TEC à filtre de Fermi (FFFET), en vue de résister à des courants de fuite dans l'état bloqué de la source au drain (à travers le canal) et de la source à la masse/substrat. L'ingénierie de bande interdite de matériau peut incorporer un composant de décalage de bande à base de matériau en vue de commander une fuite dans l'état bloqué. Un tel décalage de bande peut s'étendre sur le décalage de bande d'énergie limitée pouvant être obtenu à l'aide de conceptions de matériau classiques (par exemple, des conceptions de matériau à composition unique), car au moyen de telles conceptions de matériau classiques, au-dessus d'une concentration de dopage de seuil, il n'y a pas de diminution supplémentaire du courant de fuite pour une source donnée à une tension de drain à des dimensions fixes. Par exemple, l'augmentation du décalage de bande peut augmenter la barrière que les porteuses doivent surmonter en vue d'atteindre la région de canal, ce qui permet de réduire les fuites dans l'état bloqué.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)