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1. (WO2018063305) FILTRE RF À RÉSONATEUR ACOUSTIQUE DE VOLUME DE FILM (FBAR) AYANT DES COUCHES ÉPITAXIALES
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N° de publication : WO/2018/063305 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054715
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 9/54 (2006.01) ,H03H 9/10 (2006.01) ,H03H 9/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
25
Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
54
comprenant des résonateurs en matériau piézo-électrique ou électrostrictif
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
05
Supports
10
Montage dans des boîtiers
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
BLOCK, Bruce A.; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
FISCHER, Paul B.; US
THEN, Han Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Mandataire :
SICARD, Keri E.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR (FBAR) RF FILTER HAVING EPITAXIAL LAYERS
(FR) FILTRE RF À RÉSONATEUR ACOUSTIQUE DE VOLUME DE FILM (FBAR) AYANT DES COUCHES ÉPITAXIALES
Abrégé :
(EN) Techniques are disclosed for forming resonator devices using epitaxially grown piezoelectric films. Given the epitaxy, the films are single crystal or monocrystalline. In some cases, the piezoelectric layer of the resonator device may be an epitaxial III-V layer such as an Aluminum Nitride, Gallium Nitride, or other group III material-nitride (III-N) compound film grown as a part of a single crystal III-V material stack. In an embodiment, the III-V material stack includes, for example, a single crystal AIN layer and a single crystal GaN layer, although any other suitable single crystal piezoelectric materials can be used. An interdigitated transducer (IDT) electrode is provisioned on the piezoelectric layer and defines the operating frequency of the filter. A plurality of the resonator devices can be used to enable filtering specific different frequencies on the same substrate (by varying dimensions of the IDT electrodes).
(FR) L'invention concerne des techniques de formation de dispositifs de résonateur à l'aide de films piézoélectriques à croissance épitaxiale. Compte tenu de l'épitaxie, les films sont monocristallins. Dans certains cas, la couche piézoélectrique du dispositif de résonateur peut être une couche épitaxiale III-V telle qu'un film composé de nitrure d'aluminium, de nitrure de gallium ou d'un autre nitrure de matériau de groupe III (III-N) obtenu par croissance en tant que partie d'un empilement de matériaux III-V monocristallins. Selon un mode de réalisation, l'empilement de matériaux III-V comprend, par exemple, une couche d'AlN monocristallin et une couche de GaN monocristallin, bien que tout autre matériau piézoélectrique monocristallin approprié peut être utilisé. Une électrode de transducteur interdigité (IDT) est prévue sur la couche piézoélectrique et définit la fréquence de fonctionnement du filtre. Une pluralité des dispositifs de résonateur peut être utilisée pour permettre le filtrage de différentes fréquences spécifiques sur le même substrat (par des dimensions variables des électrodes de transducteur interdigité).
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)