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1. (WO2018063303) DÉPÔT DE MATÉRIAU DE REMPLISSAGE DE GAP DIÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2018/063303 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054711
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
LUCE, Jeanne L.; US
MAYS, Ebony L.; US
KILLAMPALLI, Aravind S.; US
GUPTA, Jay P.; US
Mandataire :
BRASK, Justin K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DIELECTRIC GAP-FILL MATERIAL DEPOSITION
(FR) DÉPÔT DE MATÉRIAU DE REMPLISSAGE DE GAP DIÉLECTRIQUE
Abrégé :
(EN) A flowable chemical vapor deposition method including depositing a dielectric film precursor on a substrate in a flowable form; depositing an oligomerization agent on the substrate; forming a dielectric film from the dielectric film precursor; and curing the dielectric film under a pressure greater than atmospheric pressure. A method including depositing a dielectric film precursor as a liquid on a substrate in the presence of an oligomerization agent; treating the deposited dielectric film precursor to inhibit outgassing; and curing the dielectric film precursor to form a dielectric film. A method including delivering a dielectric film precursor as a vapor to a substrate including gap structures between device features; condensing the dielectric film precursor on the substrate to a liquid; flowing the liquid into the gap structures; and curing the dielectric film precursor under a pressure of 15 pounds per square inch gauge or greater.
(FR) Un procédé de dépôt chimique en phase vapeur fluide comprend le dépôt d'un précurseur de film diélectrique sur un substrat sous une forme fluide; le dépôt d'un agent d'oligomérisation sur le substrat; la formation d'un film diélectrique à partir du précurseur de film diélectrique; et le durcissement du film diélectrique sous une pression supérieure à la pression atmosphérique. Un procédé comprend le dépôt d'un précurseur de film diélectrique sous la forme d'un liquide sur un substrat en présence d'un agent d'oligomérisation; le traitement du précurseur de film diélectrique déposé pour inhiber le dégazage; et le durcissement du précurseur de film diélectrique pour former un film diélectrique. Un procédé comprenant la distribution d'un précurseur de film diélectrique sous la forme d'une vapeur à un substrat comprenant des structures d'espace entre des éléments de dispositif; la condensation du précurseur de film diélectrique sur le substrat à un liquide; l'écoulement du liquide dans les structures d'espace; et le durcissement du précurseur de film diélectrique sous une pression de 15 livres par mètre carré ou plus.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)