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1. (WO2018063299) FILTRES RF ET RÉSONATEURS DE FILMS III-N CRISTALLINS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2018/063299 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054699
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H03H 3/04 (2006.01) ,H03H 9/58 (2006.01) ,H03H 9/60 (2006.01) ,H03H 9/17 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
02
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
04
pour obtenir une fréquence ou un coefficient de température désiré
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
54
comprenant des résonateurs en matériau piézo-électrique ou électrostrictif
58
Filtres à cristaux multiples
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
54
comprenant des résonateurs en matériau piézo-électrique ou électrostrictif
58
Filtres à cristaux multiples
60
Moyens de couplage pour ces filtres
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
15
Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif
17
ayant un résonateur unique
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
DASGUPTA, Sansaptak; US
BLOCK, Bruce A.; US
FISCHER, Paul B.; US
THEN, Han Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Mandataire :
SMITH, Paul A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) RF FILTERS AND RESONATORS OF CRYSTALLINE III-N FILMS
(FR) FILTRES RF ET RÉSONATEURS DE FILMS III-N CRISTALLINS
Abrégé :
(EN) A bulk acoustic resonator architecture is fabricated by epitaxially forming a piezoelectric film on a top surface of post formed from an underlying substrate. In some cases, the acoustic resonator is fabricated to filter multiple frequencies. In some such cases, the resonator device includes two different resonator structures on a single substrate, each resonator structure configured to filter a desired frequency. Including two different acoustic resonators in a single RF acoustic resonator device enables that single device to filter two different frequencies in a relatively small footprint.
(FR) Une architecture de résonateur acoustique de volume est fabriquée par formation épitaxiale d'un film piézoélectrique sur une surface supérieure d'un montant formé à partir d'un substrat sous-jacent. Dans certains cas, le résonateur acoustique est fabriqué pour filtrer de multiples fréquences. Dans certains de ces cas, le dispositif de résonateur comprend deux structures de résonateur différentes sur un seul substrat, chaque structure de résonateur étant configurée pour filtrer une fréquence souhaitée. L'inclusion de deux résonateurs acoustiques différents dans un seul dispositif de résonateur acoustique RF permet à ce dispositif unique de filtrer deux fréquences différentes dans une empreinte relativement petite.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)