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1. (WO2018063294) DISPOSITIFS RÉSONATEURS ACOUSTIQUES DE VOLUME EN COUCHE MINCE (FBAR) POUR FILTRES RF À HAUTE FRÉQUENCE
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N° de publication : WO/2018/063294 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054690
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H03H 3/02 (2006.01) ,H03H 3/04 (2006.01) ,H03H 9/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
02
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
02
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
04
pour obtenir une fréquence ou un coefficient de température désiré
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
DASGUPTA, Sansaptak; US
BLOCK, Bruce A.; US
FISCHER, Paul B.; US
THEN, Han Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Mandataire :
SICARD, Keri E.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR (FBAR) DEVICES FOR HIGH FREQUENCY RF FILTERS
(FR) DISPOSITIFS RÉSONATEURS ACOUSTIQUES DE VOLUME EN COUCHE MINCE (FBAR) POUR FILTRES RF À HAUTE FRÉQUENCE
Abrégé :
(EN) Techniques are disclosed for forming integrated circuit film bulk acoustic resonator (FBAR) devices having multiple resonator thicknesses on a common substrate. A piezoelectric stack is formed in an STI trench and overgrown onto the STI material. In some cases, the piezoelectric stack can include epitaxially grown AlN. In some cases, the piezoelectric stack can include single crystal (epitaxial) AlN in combination with polycrystalline (e.g., sputtered) AlN. The piezoelectric stack thus forms a central portion having a first resonator thickness and end wings extending from the central portion and having a different resonator thickness. Each wing may also have different thicknesses from one another. Thus, multiple resonator thicknesses can be achieved on a common substrate, and hence, multiple resonant frequencies on that same substrate. The end wings can have metal electrodes formed thereon, and the central portion can have a plurality of IDT electrodes patterned thereon.
(FR) L'invention concerne des techniques pour former des dispositifs résonateurs acoustiques de volume en couche mince (FBAR) à circuit intégré ayant de multiples épaisseurs de résonateur sur un substrat commun. Un empilement piézoélectrique est formé dans une tranchée STI et mis en croissance sur le matériau STI. Dans certains cas, l'empilement piézoélectrique peut comprendre de l'AlN à croissance épitaxiale. Dans certains cas, l'empilement piézoélectrique peut comprendre un AlN monocristallin (épitaxial) en combinaison avec de l'AlN polycristallin (par exemple, pulvérisé). L'empilement piézoélectrique forme ainsi une portion centrale ayant une première épaisseur de résonateur et des ailes d'extrémité s'étendant à partir de la portion centrale et ayant une épaisseur de résonateur différente. Les ailes peuvent chacune également avoir des épaisseurs différentes les unes par rapport aux autres. Ainsi, de multiples épaisseurs de résonateur peuvent être obtenues sur un substrat commun, et par conséquent, de multiples fréquences de résonance sur ce même substrat. Les ailes d'extrémité peuvent comporter des électrodes métalliques formées sur celles-ci, et la portion centrale peut avoir une pluralité d'électrodes IDT formées sur celles-ci.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)