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1. (WO2018063291) DISPOSITIFS DE RÉSONATEUR À RETOURNEMENT UNIQUE À ÉLECTRODE INFÉRIEURE DE 2DEG
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N° de publication :    WO/2018/063291    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/054686
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H03H 9/17 (2006.01), H03H 9/05 (2006.01), H03H 9/02 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : DASGUPTA, Sansaptak; (US).
RADOSAVLJEVIC, Marko; (US).
THEN, Han Wui; (US).
BLOCK, Bruce A.; (US).
FISCHER, Paul B.; (US)
Mandataire : CHRISTON, Rebecca C.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SINGLE-FLIPPED RESONATOR DEVICES WITH 2DEG BOTTOM ELECTRODE
(FR) DISPOSITIFS DE RÉSONATEUR À RETOURNEMENT UNIQUE À ÉLECTRODE INFÉRIEURE DE 2DEG
Abrégé : front page image
(EN)Techniques are disclosed for forming integrated circuit single-flipped resonator devices that include an electrode formed of a two-dimensional electron gas (2DEG). The disclosed resonator devices may be implemented with various group III-nitride (III-N) materials, and in some cases, the 2DEG may be formed at a heterojunction of two epitaxial layers each formed of III-N materials, such as a gallium nitride (GaN) layer and an aluminum nitride (AlN) layer. The 2DEG electrode may be able to achieve similar or increased carrier transport as compared to a resonator device having an electrode formed of metal. Additionally, in some embodiments where AlN is used as the piezoelectric material for the resonator device, the AlN may be epitaxially grown which may provide increased performance as compared to piezoelectric material that is deposited by traditional sputtering techniques.
(FR)L'invention concerne des techniques de formation de dispositifs de résonateur à retournement unique de circuit intégré qui comprennent une électrode constituée d'un gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG). Les dispositifs de résonateur selon l'invention peuvent être mis en œuvre avec divers matériaux de nitrure du groupe III (III-N), et dans certains cas, le 2DEG peut être formé au niveau d'une hétérojonction de deux couches épitaxiales constituées chacune de matériaux III-N, tels qu'une couche de nitrure de gallium (GaN) et une couche de nitrure d'aluminium (AlN). L'électrode de 2DEG peut être capable d'obtenir un transport de porteuse similaire ou accru par comparaison avec un dispositif de résonateur ayant une électrode constituée de métal. De plus, selon certains modes de réalisation où AlN est utilisé en tant que matériau piézoélectrique pour le dispositif de résonateur, l'AlN peut être obtenu par croissance épitaxiale qui peut fournir une performance accrue par rapport à un matériau piézoélectrique qui est déposé par des techniques de pulvérisation classiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)