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1. (WO2018063290) COUCHES QUANTIQUES RIGIDES POUR RALENTIR ET/OU ARRÊTER LA PROPAGATION DE DÉFAUTS
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N° de publication : WO/2018/063290 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054676
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
METZ, Matthew; US
DEWEY, Gilbert; US
KENNEL, Harold W.; US
HUANG, Cheng-Ying; US
MA, Sean T.; US
RACHMADY, Willy; US
Mandataire :
BOOTH, Brett C.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) STIFF QUANTUM LAYERS TO SLOW AND OR STOP DEFECT PROPAGATION
(FR) COUCHES QUANTIQUES RIGIDES POUR RALENTIR ET/OU ARRÊTER LA PROPAGATION DE DÉFAUTS
Abrégé :
(EN) Semiconductor devices, computing devices, and related methods are disclosed herein. A semiconductor device includes a seed material, an epitaxial material in contact with the seed material, and at least one quantum region including an elastic stiffness that is greater than an elastic stiffness of the epitaxial material. The epitaxial material has lattice parameters that are different from lattice parameters of the seed material by at least a threshold amount. Lattice parameters of the quantum region are within the threshold amount of the lattice parameters of the epitaxial material. A method includes disposing an epitaxial material on a seed material, disposing a quantum region on the epitaxial material, and disposing the epitaxial material on the quantum region.
(FR) L'invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs, des dispositifs informatiques et des procédés associés. Un dispositif à semi-conducteurs comprend un matériau germe, un matériau épitaxial en contact avec le matériau germe, et au moins une zone quantique possédant une rigidité élastique supérieure à une rigidité élastique du matériau épitaxial. Le matériau épitaxial possède des paramètres de réseau qui diffèrent des paramètres de réseau du matériau germe d'au moins une quantité seuil. Les paramètres de réseau de la zone quantique sont dans les limites de la quantité seuil des paramètres de réseau du matériau épitaxial. L'invention concerne également un procédé qui consiste à disposer un matériau épitaxial sur un matériau germe, à disposer une zone quantique sur le matériau épitaxial, et à disposer le matériau épitaxial sur la zone quantique.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)