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1. (WO2018063289) INTERCONNEXIONS DE NANORUBAN DE GRAPHÈNE ET REVÊTEMENTS D'INTERCONNEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2018/063289 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054675
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16
comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique, sous forme non combinée
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
LIN, Kevin; US
CAUDILLO, Roman; US
CHAWLA, Jasmeet S.; US
TORRES, Jessica M.; US
MAESTRE CARO, Aranzazu; US
Mandataire :
SMITH, Paul A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GRAPHENE NANORIBBON INTERCONNECTS AND INTERCONNECT LINERS
(FR) INTERCONNEXIONS DE NANORUBAN DE GRAPHÈNE ET REVÊTEMENTS D'INTERCONNEXION
Abrégé :
(EN) Graphitic nanoribbon interconnects are described. The graphitic nanoribbon interconnects are fabricated by forming a graphitic layer (such as graphene) on a metal feature growth catalyst. The metal feature growth catalyst is selectively removed, leaving a graphitic nanoribbon remaining as the interconnect. Graphitic nanoribbon interconnects have a thickness of from 0.3 nanometers (nm) to 2 nm and a height of at least 40 nm. The conductive graphitic nanoribbon interconnect overcomes the need to include conventionally composed interconnect liners. Furthermore, the reduced feature size of the graphitic nanoribbon interconnect compared to conventional liners enables greater interconnect density and semiconductor device density.
(FR) L'invention concerne des interconnexions de nanoruban graphitique. Les interconnexions de nanoruban graphitique sont fabriquées par formation d'une couche graphitique (telle que du graphène) sur un catalyseur de croissance d'élément métallique. Le catalyseur de croissance d'élément métallique est sélectivement retiré, laissant un nanoruban graphitique restant en tant qu'interconnexion. Les interconnexions de nanoruban graphitique ont une épaisseur de 0,3 nanomètre (nm) à 2 nm et une hauteur d'au moins 40 nm. L'interconnexion de nanoruban graphitique conductrice surmonte le besoin d'inclure des revêtements d'interconnexion composés de manière classique. En outre, la taille d'élément réduite de l'interconnexion de nanoruban graphitique par rapport aux revêtements classiques permet d'obtenir une densité d'interconnexion et une densité de dispositif à semi-conducteur supérieures.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)