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1. (WO2018063287) CELLULE DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE À PONT CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/063287 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054668
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,G11C 13/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
MAJHI, Prashant; US
KARPOV, Elijah V.; US
MUKHERJEE, Niloy; US
CLARKE, James S.; US
PILLARISETTY, Ravi; US
Mandataire :
PEMBERTON, John D.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CONDUCTIVE BRIDGE RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE À PONT CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) Substrates, assemblies, and techniques for enabling a resistive random access memory cell are disclosed herein. For example, in some embodiments, a device may include a top electrode, a modulated interfacial region, and a bottom electrode. The thickness of the modulated interfacial region can be modulated between an on state thickness and an off state thickness and the bottom electrode is an active electrode that is a source for metal ions for the creation of a filament between the top electrode and the bottom electrode. In an example, the filament is created when the transistor is in an on state and the filament is not present when the transistor is in an off state.
(FR) Des substrats, des ensembles et des techniques pour activer une cellule de mémoire vive résistive sont divulgués. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un dispositif peut comprendre une électrode supérieure, une région interfaciale modulée et une électrode inférieure. L'épaisseur de la région interfaciale modulée peut être modulée entre une épaisseur d’état passant et une épaisseur d’état non passant, et l'électrode inférieure est une électrode active qui est une source pour les ions métalliques pour la création d'un filament entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure. Dans un exemple, le filament est créé lorsque le transistor est à l’état passant et le filament n'est pas présent lorsque le transistor est à l’état non passant.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)