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1. (WO2018063286) PILE MAGNÉTOSTRICTIVE ET CELLULE BINAIRE CORRESPONDANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2018/063286 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054666
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 30.09.2016
CIB :
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 41/083 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
083
avec une structure empilée ou multicouche
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
LIN, Chia-Ching; US
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
NIKONOV, Dmitri E.; US
YOUNG, Ian A.; US
Mandataire :
MUGHAL, Usman A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MAGNETOSTRICTIVE STACK AND CORRESPONDING BIT-CELL
(FR) PILE MAGNÉTOSTRICTIVE ET CELLULE BINAIRE CORRESPONDANTE
Abrégé :
(EN) An apparatus is provided which comprises: a ferromagnetic (FM) region with magnetostrictive (MS) property; a piezo-electric (PZe) region adjacent to the FM region; and a magnetoelectric region adjacent to the FM region. An apparatus is provided which comprises: a FM region with MS property; a PZe region adjacent to the FM region; and a magnetoelectric region, wherein the FM region is at least partially adjacent to the magnetoelectric region. An apparatus is provided which comprises: a FM region with MS property; a PZe region adjacent to the FM region; a magnetoelectric region being adjacent to the FM and PZe regions; a first electrode adjacent to the FM and PZe regions; a second electrode adjacent to the magnetoelectric region; a spin orbit coupling (SOC) region adjacent to the magnetoelectric region; and a third electrode adjacent to the SOC region.
(FR) L'invention concerne un appareil comprenant : une région ferromagnétique (FM) à propriété magnétostrictive (MS) ; une région piézoélectrique (PZe) adjacente à la région FM ; et une région magnétoélectrique adjacente à la région FM. L'invention concerne également un appareil comprenant : une région FM ayant une propriété MS ; une région PZe adjacente à la région FM ; et une région magnétoélectrique. La région FM est au moins partiellement adjacente à la région magnétoélectrique. L'invention concerne en outre un appareil comprenant : une région FM ayant une propriété MS ; une région PZe adjacente à la région FM ; une région magnétoélectrique adjacente aux régions FM et PZe ; une première électrode adjacente aux régions FM et PZe ; une deuxième électrode adjacente à la région magnétoélectrique ; une région de couplage spin-orbite (SOC) adjacente à la région magnétoélectrique ; et une troisième électrode adjacente à la région SOC.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)