WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
PATENTSCOPE sera indisponible quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 18.08.2018 à 09:00 CEST
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018063252) PROCÉDÉS ET APPAREIL POUR FORMER DES TRANSISTORS À BASE DE SILICIUM SUR DES MATÉRIAUX DE NITRURE DU GROUPE III À L'AIDE D'UN PIÉGEAGE DE RAPPORT D'ASPECT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/063252 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054480
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 27/092 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : RADOSAVLJEVIC, Marko; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
THEN, Han Wui; US
Mandataire : SALMON, Scott D.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS TO FORM SILICON-BASED TRANSISTORS ON GROUP III-NITRIDE MATERIALS USING ASPECT RATIO TRAPPING
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREIL POUR FORMER DES TRANSISTORS À BASE DE SILICIUM SUR DES MATÉRIAUX DE NITRURE DU GROUPE III À L'AIDE D'UN PIÉGEAGE DE RAPPORT D'ASPECT
Abrégé : front page image
(EN) Methods and apparatus to form silicon-based transistors on group III-nitride materials using aspect ratio trapping are disclosed. An example integrated circuit includes a group III-nitride substrate and a fin of silicon formed on the group III-nitride substrate. The integrated circuit further includes a first transistor formed on the fin of silicon and a second transistor formed on the group III-nitride substrate.
(FR) L'invention concerne des procédés et un appareil pour former des transistors à base de silicium sur des matériaux de nitrure du groupe III à l'aide d'un piégeage de rapport d'aspect. Un exemple de circuit intégré comprend un substrat de nitrure du groupe III et une ailette de silicium formée sur le substrat de nitrure du groupe III. Le circuit intégré comprend en outre un premier transistor formé sur l'ailette de silicium et un second transistor formé sur le substrat de nitrure du groupe III.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)