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1. (WO2018063252) PROCÉDÉS ET APPAREIL POUR FORMER DES TRANSISTORS À BASE DE SILICIUM SUR DES MATÉRIAUX DE NITRURE DU GROUPE III À L'AIDE D'UN PIÉGEAGE DE RAPPORT D'ASPECT

Pub. No.:    WO/2018/063252    International Application No.:    PCT/US2016/054480
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 30 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 27/092
H01L 21/8238
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: RADOSAVLJEVIC, Marko
DASGUPTA, Sansaptak
THEN, Han Wui
Title: PROCÉDÉS ET APPAREIL POUR FORMER DES TRANSISTORS À BASE DE SILICIUM SUR DES MATÉRIAUX DE NITRURE DU GROUPE III À L'AIDE D'UN PIÉGEAGE DE RAPPORT D'ASPECT
Abstract:
L'invention concerne des procédés et un appareil pour former des transistors à base de silicium sur des matériaux de nitrure du groupe III à l'aide d'un piégeage de rapport d'aspect. Un exemple de circuit intégré comprend un substrat de nitrure du groupe III et une ailette de silicium formée sur le substrat de nitrure du groupe III. Le circuit intégré comprend en outre un premier transistor formé sur l'ailette de silicium et un second transistor formé sur le substrat de nitrure du groupe III.