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1. (WO2018063238) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR À ONDES MILLIMÉTRIQUES MONTÉ EN ANGLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2018/063238 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054417
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2016
CIB :
H01L 25/16 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/10 (2006.01) ,H01L 23/66 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
16
les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux H01L27/-H01L51/129
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
10
les dispositifs ayant des conteneurs séparés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
64
Dispositions relatives à l'impédance
66
Adaptations pour la haute fréquence
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Déposants :
OSTER, Sasha [US/US]; US (US)
DOGIAMIS, Georgios [GR/US]; US (US)
KAMGAING, Telesphor [US/US]; US (US)
ELSHERBINI, Adel [EG/US]; US (US)
LIFF, Shawna [US/US]; US (US)
ALEKSOV, Aleksandar [DE/US]; US (US)
SWAN, Johanna [US/US]; US (US)
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
Inventeurs :
OSTER, Sasha; US
DOGIAMIS, Georgios; US
KAMGAING, Telesphor; US
ELSHERBINI, Adel; US
LIFF, Shawna; US
ALEKSOV, Aleksandar; US
SWAN, Johanna; US
Mandataire :
CZARNECKI, Michael S.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ANGLE MOUNT MM-WAVE SEMICONDUCTOR PACKAGE
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR À ONDES MILLIMÉTRIQUES MONTÉ EN ANGLE
Abrégé :
(EN) A millimeter wave (mm-wave) communication interface includes a first semiconductor package coupled to a first substrate and a second semiconductor package coupled to a second substrate. The second substrate may be coupled at approximately a 90° angle to the first substrate. The second semiconductor package may include a mm-wave die that modulates digital data on a high frequency microwave signal and a mm-wave launcher that launches the modulated high-frequency microwave signal into a waveguide member operably coupled to the second substrate. In such an implementation, the waveguide member may beneficially exit the second substrate along a longitudinal axis parallel to the principal plane of the first substrate. Advantageously, all high-frequency components are close coupled to the second substrate without the use of an intervening interface.
(FR) Selon la présente invention, une interface de communication à ondes millimétriques (ondes mm) comprend un premier boîtier de semi-conducteur couplé à un premier substrat et un second boîtier de semi-conducteur couplé à un second substrat. Le second substrat peut être couplé à approximativement un angle de 90° par rapport au premier substrat. Le second boîtier de semi-conducteur peut comprendre une puce à ondes millimétriques qui module des données numériques sur un signal hyperfréquence à haute fréquence et un lanceur à ondes millimétriques qui lance le signal hyperfréquence modulé haute fréquence dans un élément guide d'ondes couplé fonctionnellement au second substrat. Dans un tel mode de réalisation, l'élément guide d'ondes peut sortir de manière bénéfique du second substrat le long d'un axe longitudinal parallèle au plan principal du premier substrat. De manière avantageuse, tous les composants haute fréquence sont étroitement couplés au second substrat sans l'utilisation d'une interface intermédiaire.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)