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1. (WO2018063226) CONTACT D'ESCALIER INVERSÉ POUR L'AMÉLIORATION DE LA DENSITÉ DANS DES DISPOSITIFS EMPILÉS 3D
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/063226 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054379
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2016
CIB :
H01L 27/115 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : LILAK, Aaron; US
MORROW, Patrick; US
MEHANDRU, Rishabh; US
Mandataire : WEISKOPF, Marie A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INVERTED STAIRCASE CONTACT FOR DENSITY IMPROVEMENT TO 3D STACKED DEVICES
(FR) CONTACT D'ESCALIER INVERSÉ POUR L'AMÉLIORATION DE LA DENSITÉ DANS DES DISPOSITIFS EMPILÉS 3D
Abrégé : front page image
(EN) A semiconductor stacked device include a first plurality of device layers separated from one another by a first plurality of dielectric layers, a first electrically conductive via coupled to a contact portion of a device layer of the first plurality of the device layers, a second plurality of device layers separated from one another by a second plurality of dielectric layers, and a second electronically conductive via coupled to a contact portion of a device layer of the second plurality of the device layers. The first electronically conductive via extends to a frontside of the semiconductor stacked device and the second electrically conductive via extends to a backside of the semiconductor stacked device. The first plurality of device layers form a stair pattern in a first direction and the second plurality of device layers form a stair pattern in a second direction inverted from the first direction
(FR) Un dispositif empilé à semi-conducteurs comprend une première pluralité de couches de dispositif séparées les unes des autres par une première pluralité de couches diélectriques, un premier trou d'interconnexion électro-conducteur couplé à une partie de contact d'une couche de dispositif de la première pluralité de couches de dispositif, une seconde pluralité de couches de dispositif séparées les unes des autres par une seconde pluralité de couches diélectriques, et un second trou d'interconnexion électro-conducteur couplé à une partie de contact d'une couche de dispositif de la seconde pluralité de couches de dispositif. Le premier trou d'interconnexion électro-conducteur s'étend jusqu'à une face avant du dispositif empilé à semi-conducteur et le second trou d'interconnexion électro-conducteur s'étend jusqu'à un côté arrière du dispositif empilé à semi-conducteur. La première pluralité de couches de dispositif forme un motif d'escalier dans une première direction et la seconde pluralité de couches de dispositif forme un motif d'escalier dans une seconde direction inversée par rapport à la première direction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)