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1. (WO2018063224) CONTACTS DE JONCTION À EFFET TUNNEL INN POUR CANAL P DE GAN

Pub. No.:    WO/2018/063224    International Application No.:    PCT/US2016/054368
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 30 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/02
H01L 29/20
H01L 29/66
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: RADOSAVLJEVIC, Marko
DASGUPTA, Sansaptak
THEN, Han Wui
Title: CONTACTS DE JONCTION À EFFET TUNNEL INN POUR CANAL P DE GAN
Abstract:
L'invention concerne des procédés et un appareil de fabrication de semi-conducteurs. Un appareil donné à titre d'exemple comprend : un substrat de nitrure de gallium (GaN) ; une zone de GaN de type p située sur le substrat de GaN ; une zone de nitrure d'indium (InN) de type p située sur le substrat de GaN et partageant une interface avec la zone de GaN de type p ; une zone de nitrure de gallium d'indium (InGaN) de type n située sur le substrat de GaN et partageant une interface avec la zone d'InN de type p.