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1. (WO2018063208) FILMS MINCES DE CARBURE D'INDIUM-GALLIUM-ALUMINIUM MÉTALLIQUE EN TANT QUE REVÊTEMENTS ET BARRIÈRES POUR INTERCONNEXIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2018/063208 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054302
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2016
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
CLENDENNING, Scott B.; US
GSTREIN, Florian; US
Mandataire :
BOOTH, Brett C.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METAL ALUMINUM GALLIUM INDIUM CARBIDE THIN FILMS AS LINERS AND BARRIERS FOR INTERCONNECTS
(FR) FILMS MINCES DE CARBURE D'INDIUM-GALLIUM-ALUMINIUM MÉTALLIQUE EN TANT QUE REVÊTEMENTS ET BARRIÈRES POUR INTERCONNEXIONS
Abrégé :
(EN) Disclosed are electronic device assemblies, computing devices, and related methods. An electronic device assembly or a computing device includes an interlayer dielectric region between a first region and a second region, a conductive interlayer structure formed through the interlayer dielectric region, and a barrier region formed around the conductive interlayer structure. The conductive interlayer structure includes a composition of Ml-Alm-X1n-X2p-Cq-Or, wherein M comprises a metal selected from one or more of titanium, zirconium, hafnium, tantalum, niobium and vanadium; C comprises carbon; O comprises oxygen; X1 comprises gallium; X2 comprises indium; and l, m, n, p, q and r represent an atomic percent of an element in the barrier region that can be 0 percent, but n and p cannot both be 0 percent. A method includes forming the barrier region within a passage through the interlayer dielectric region.
(FR) L'invention concerne des ensembles de dispositifs électroniques, des dispositifs informatiques et des procédés associés. Un ensemble dispositif électronique ou un dispositif informatique comprend une région diélectrique intercouche entre une première région et une seconde région, une structure intercouche conductrice formée à travers la région diélectrique intercouche, et une région de barrière formée autour de la structure intercouche conductrice. La structure de couche intermédiaire conductrice comprend une composition de Ml-Alm-X1 n-X2 p-Cq-Or, M comprenant un métal choisi parmi un ou plusieurs éléments parmi le titane, zirconium, hafnium, tantale, niobium et vanadium ; C comprenant du carbone ; O comprenant de l'oxygène ; X1 comprenant du gallium ; X2 comprenant de l'indium ; et l, m, n, p, q et r représentant un pourcentage atomique d'un élément dans la région barrière qui peut être égal à 0 pour cent, mais n et p ne peuvent pas être tous deux égaux à 0 pour cent. Un procédé comprend la formation de la région barrière à l'intérieur d'un passage à travers la région diélectrique intercouche.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)