Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018063205) DISPOSITIFS DE COMMUNICATION SANS FIL SUR PUCE POUR BITS QUANTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/063205 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054295
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2016
CIB :
H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 27/02 (2006.01) ,H01L 29/80 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
80
l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
PILLARISETTY, Ravi; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
THEN, Han Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
ROBERTS, Jeanette M.; US
THOMAS, Nicole K.; US
GEORGE, Hubert C.; US
CLARKE, James S.; US
Mandataire :
HARTMANN, Natalya; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ON-CHIP WIRELESS COMMUNICATION DEVICES FOR QUBITS
(FR) DISPOSITIFS DE COMMUNICATION SANS FIL SUR PUCE POUR BITS QUANTIQUES
Abrégé :
(EN) Embodiments of the present disclosure provide quantum integrated circuit assemblies. An exemplary assembly includes a quantum circuit component that includes a plurality of qubits, a control logic coupled to the quantum circuit component and configured to control operation of the component, and a wireless communication device configured to enable the control logic to wirelessly receive and/or transmit data, all provided on a single die. By implementing control logic and the wireless communication device on the same die as the quantum circuit component(s), more functionality can be provided on-chip, enabling wireless control of the qubits. Integration can greatly reduce complexity and lower the cost of quantum computing devices, reduce interfacing bandwidth, and provide an approach that can be efficiently used in large-scale manufacturing. Methods for fabricating such assemblies are also disclosed.
(FR) Les modes de réalisation de la présente invention concernent des ensembles circuits intégrés quantiques. Un ensemble donné à titre d'exemple comprend un composant de circuit quantique qui comprend une pluralité de bits quantiques ; une logique de commande, couplée au composant de circuit quantique et configurée pour commander le fonctionnement du composant ; et un dispositif de communication sans fil, configuré pour permettre à la logique de commande de recevoir et/ou de transmettre sans fil des données, tous ces composants étant prévus sur une seule puce. La mise en oeuvre d'une logique de commande et du dispositif de communication sans fil sur la même puce que le(s) composant(s) de circuit quantique permet d'obtenir une plus grande fonctionnalité sur puce, ainsi qu'une commande sans fil des bits quantiques. L'intégration permet de réduire considérablement la complexité et le coût de dispositifs informatiques quantiques, de réduire la largeur de bande d'interfaçage et de fournir une approche qui peut être utilisée efficacement dans la fabrication à grande échelle. L'invention porte également sur des procédés de fabrication de tels ensembles.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)