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1. (WO2018063166) TECHNIQUES PERMETTANT D'AUGMENTER LA CONTRAINTE DE TRACTION DE RÉGION DE CANAL DANS DES DISPOSITIFS N-MOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063166    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/054022
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 27.09.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : MEHANDRU, Rishabh; (US).
WEBER, Cory E.; (US).
MURTHY, Anand S.; (US).
JAMBUNATHAN, Karthik; (US).
GLASS, Glenn A.; (US).
ZHANG, Jiong; (US).
JHAVERI, Ritesh; (US).
LIAO, Szuya S.; (US)
Mandataire : MALONEY, Neil F.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TECHNIQUES FOR INCREASING CHANNEL REGION TENSILE STRAIN IN N-MOS DEVICES
(FR) TECHNIQUES PERMETTANT D'AUGMENTER LA CONTRAINTE DE TRACTION DE RÉGION DE CANAL DANS DES DISPOSITIFS N-MOS
Abrégé : front page image
(EN)Techniques are disclosed for forming increasing channel region tensile strain in n-MOS devices. In some cases, increased channel region tensile strain can be achieved via S/D material engineering that deliberately introduces dislocations in one or both of the S/D regions to produce tensile strain in the adjacent channel region. In some such cases, the S/D material engineering to create desired dislocations may include using a lattice mismatched epitaxial S/D film adjacent to the channel region. Numerous material schemes for achieving multiple dislocations in one or both S/D regions will be apparent in light of this disclosure. In some cases, a cap layer can be formed on an S/D region to reduce contact resistance, such that the cap layer is an intervening layer between the S/D region and S/D contact. The cap layer includes different material than the underlying S/D region and/or a higher dopant concentration to reduce contact resistance.
(FR)L'invention concerne des techniques permettant d'augmenter la contrainte de traction de région de canal dans des dispositifs n-MOS. Dans certains cas, une contrainte de traction de région de canal accrue peut être obtenue par ingénierie de matériau S/D qui introduit volontairement des dislocations dans l'une ou les deux régions S/D pour produire une contrainte de traction dans la région de canal adjacente. Dans certains de ces cas, l'ingénierie de matériau S/D destinée à créer des dislocations souhaitées peut comprendre l'utilisation d'un film S/D épitaxial à désaccord de réseau adjacent à la région de canal. De nombreux schémas de matériaux permettant d'obtenir de multiples dislocations dans l'une ou les deux régions S/D seront apparents à la suite de la présente invention. Dans certains cas, une couche de couverture peut être formée sur une région S/D pour réduire la résistance de contact, de telle sorte que la couche de couverture est une couche intermédiaire entre la région S/D et le contact S/D. La couche de couverture comprend un matériau différent de celui de la région S/D sous-jacente et/ou une concentration de dopant supérieure pour réduire la résistance de contact.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)