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1. (WO2018063138) BITS QUANTIQUES À POINTS QUANTIQUES DOUBLE GRILLE INDÉPENDANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2018/063138 N° de la demande internationale : PCT/US2016/053861
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 27.09.2016
CIB :
H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/80 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
80
l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
PILLARISETTY, Ravi; US
GEORGE, Hubert C.; US
ROBERTS, Jeanette M.; US
THOMAS, Nicole K.; US
CLARKE, James S.; US
Mandataire :
HARTMANN, Natalya; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INDEPENDENT DOUBLE-GATE QUANTUM DOT QUBITS
(FR) BITS QUANTIQUES À POINTS QUANTIQUES DOUBLE GRILLE INDÉPENDANTS
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are quantum dot devices, as well as related computing devices and methods. For example, in some embodiments, a quantum dot device may include a base and a fin extending away from the base and including a quantum well layer. The device may further include a first gate disposed on a first side of the fin and a second gate disposed on a second side of the fin, different from the first side. Providing gates on different sides of a fin advantageously allows increasing the number of quantum dots which may be independently formed and manipulated in the fin. The quantum dots formed in such a device may be constrained in the x-direction by the one or more gates, in the y-direction by the fin, and in the z-direction by the quantum well layer, as discussed in detail herein. Methods for fabricating such devices are also disclosed.
(FR) L'invention concerne des dispositifs à points quantiques, ainsi que des dispositifs et des procédés informatiques associés. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un dispositif à points quantiques peut comprendre une base et une ailette s'étendant à l'opposé de la base et comprenant une couche de puits quantique. Le dispositif peut en outre comprendre une première grille disposée sur un premier côté de l'ailette et une seconde grille disposée sur un second côté de l'ailette, différent du premier côté. La fourniture de grilles sur différents côtés d'une ailette permet avantageusement d'augmenter le nombre de points quantiques qui peuvent être formés indépendamment et manipulés dans l'ailette. Les points quantiques formés dans un tel dispositif peuvent être contraints dans la direction x par l'une ou les grilles, dans la direction y par l'ailette, et dans la direction z par la couche de puits quantique, comme discuté en détail ici. Des procédés pour la fabrication de tels dispositifs sont également décrits.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)