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1. (WO2018063093) DISPOSITIF DE MÉMOIRE, SON PROCÉDÉ DE FORMATION, SON PROCÉDÉ DE COMMANDE ET MATRICE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/063093    N° de la demande internationale :    PCT/SG2017/050457
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01)
Déposants : NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY [SG/SG]; 50 Nanyang Avenue Singapore 639798 (SG)
Inventeurs : DANANJAYA, Putu Andhita; (SG).
LEW, Wen Siang; (SG)
Mandataire : MCLAUGHLIN, Michael Gerard; (SG)
Données relatives à la priorité :
10201608151Q 29.09.2016 SG
Titre (EN) MEMORY DEVICE, METHOD OF FORMING THE SAME, METHOD FOR CONTROLLING THE SAME AND MEMORY ARRAY
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE, SON PROCÉDÉ DE FORMATION, SON PROCÉDÉ DE COMMANDE ET MATRICE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)According to embodiments of the present invention, a memory device is provided. The memory device includes an electrochemical metallization memory (ECM) cell and a valence change memory (VCM) cell arranged one over the other. According to further embodiments of the present invention, a method of forming a memory device, a method for controlling a memory device, and a memory array are also provided.
(FR)Selon certains modes de réalisation de la présente invention, celle-ci concerne un dispositif de mémoire. Le dispositif de mémoire comprend une cellule de mémoire à métallisation électrochimique (ECM) et une cellule de mémoire à changement de valence (VCM) disposées l'une sur l'autre. Selon d'autres modes de réalisation de la présente invention, celle-ci concerne un procédé de formation d'un dispositif de mémoire, un procédé de commande d'un dispositif de mémoire et une matrice mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)