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1. (WO2018063093) DISPOSITIF DE MÉMOIRE, SON PROCÉDÉ DE FORMATION, SON PROCÉDÉ DE COMMANDE ET MATRICE MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2018/063093 N° de la demande internationale : PCT/SG2017/050457
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,G11C 13/00 (2006.01) ,H01L 27/24 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24
comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
Déposants :
NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY [SG/SG]; 50 Nanyang Avenue Singapore 639798, SG
Inventeurs :
DANANJAYA, Putu Andhita; SG
LEW, Wen Siang; SG
Mandataire :
MCLAUGHLIN, Michael Gerard; SG
Données relatives à la priorité :
10201608151Q29.09.2016SG
Titre (EN) MEMORY DEVICE, METHOD OF FORMING THE SAME, METHOD FOR CONTROLLING THE SAME AND MEMORY ARRAY
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE, SON PROCÉDÉ DE FORMATION, SON PROCÉDÉ DE COMMANDE ET MATRICE MÉMOIRE
Abrégé :
(EN) According to embodiments of the present invention, a memory device is provided. The memory device includes an electrochemical metallization memory (ECM) cell and a valence change memory (VCM) cell arranged one over the other. According to further embodiments of the present invention, a method of forming a memory device, a method for controlling a memory device, and a memory array are also provided.
(FR) Selon certains modes de réalisation de la présente invention, celle-ci concerne un dispositif de mémoire. Le dispositif de mémoire comprend une cellule de mémoire à métallisation électrochimique (ECM) et une cellule de mémoire à changement de valence (VCM) disposées l'une sur l'autre. Selon d'autres modes de réalisation de la présente invention, celle-ci concerne un procédé de formation d'un dispositif de mémoire, un procédé de commande d'un dispositif de mémoire et une matrice mémoire.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)