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1. (WO2018062689) COMPOSITION DE FUSION À BASE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/062689    N° de la demande internationale :    PCT/KR2017/009157
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 22.08.2017
CIB :
C30B 29/36 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), C30B 19/04 (2006.01)
Déposants : LG CHEM, LTD. [KR/KR]; 128, Yeoui-daero Yeongdeungpo-gu Seoul 07336 (KR)
Inventeurs : CHUNG, Chan Yeup; (KR).
LEE, Ho Rim; (KR).
KIM, Kyoung Hoon; (KR).
KO, Jung Min; (KR)
Mandataire : YOU ME PATENT AND LAW FIRM; 115 Teheran-ro, Gangnam-gu, Seoul 06134 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0125889 29.09.2016 KR
Titre (EN) SILICON-BASED MELT COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL USING SAME
(FR) COMPOSITION DE FUSION À BASE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM L'UTILISANT
(KO) 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)A silicon-based melt composition according to an embodiment is used in a solution growth method for forming a silicon carbide single crystal, and is represented by Formula 1 below, including silicon (Si), a first metal (M1), a second metal (M2), and a third metal (M3). The first metal (M1) is one or more selected from a group including nickel (Ni) and manganese (Mn), the second metal (M2) is one or more selected from a group including scandium (Sc) and titanium (Ti), and the third metal (M3) is one or more selected from a group including aluminum (Al) and gallium (Ga). In SiaM1bM2cM3d (Formula 1), a is 0.3 to 0.8, b is 0.1 to 0.5, c is 0.01 to 0.3, d is 0.01 to 0.2, and a+b+c+d is 1.
(FR)Une composition de fusion à base de silicium selon un mode de réalisation de la présente invention est utilisée dans un procédé de croissance en solution pour former un monocristal de carbure de silicium. Ladite composition est représentée par la formule 1 ci-dessous et elle comprend du silicium (Si), un premier métal (M1), un deuxième métal (M2) et un troisième métal (M3). Le premier métal (M1) est un ou plusieurs éléments choisis dans un groupe comprenant le nickel (Ni) et le manganèse (Mn), le deuxième métal (M2) est un ou plusieurs éléments choisis dans un groupe comprenant le scandium (Sc) et le titane (Ti) et le troisième métal (M3) est un ou plusieurs éléments choisis dans un groupe comprenant l'aluminium (Al) et le gallium (Ga). Dans SiaM1bM2cM3d (formule1), a vaut de 0,3 à 0,8, b vaut de 0,1 à 0,5, c vaut de 0,01 à 0,3, d vaut de 0,01 à 0,2, et a + b + c + d vaut 1.
(KO)일 실시예에 따른 실리콘계 용융 조성물은 실리콘카바이드 단결정을 형성하기 위한 용액 성장법에 이용되고, 실리콘 (Si), 제 1 금속 (M1), 제2 금속 (M2) 및 제 3 금속 (M3)을 포함하는 하기 식 (1)로 표현되며, 상기 제 1 금속 (M1)은 니켈 (Ni) 및 망간 (Mn)을 포함하는 군에서 선택된 1종 이상이고, 제 2 금속 (M2)은 스칸듐 (Sc) 및 티타늄 (Ti )을 포함하는 군에서 선택된 1종 이상이고, 제 3 금속 (M3)은 알루미늄 (A1 ) 및 갈륨 (Ga)을 포함하는 군에서 선택된 1종 이상이다. SiaMlbM2cM3d (식 1) 상기 a는 0.3 내지 0.8이고 상기 b는 0.1 내지 0.5이고 상기 c는 0.01 내지 0.3이고 상기 d는 0.01 내지 0.2이고, 상기 a+b+c+d는 1이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)