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1. (WO2018062470) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE, ET KIT
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N° de publication :    WO/2018/062470    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/035438
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), B24B 37/00 (2012.01), G03F 7/38 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : KAMIMURA Tetsuya; (JP)
Mandataire : WATANABE Mochitoshi; (JP).
MIWA Haruko; (JP).
ITOH Hideaki; (JP).
MITSUHASHI Fumio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-193257 30.09.2016 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP, AND KIT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE, ET KIT
(JA) 半導体チップの製造方法、キット
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides: a method for producing a semiconductor chip excellent in production yield; and a kit. The method for producing a semiconductor chip according to the present invention comprises: step 1 for forming an insulating film on a substrate; step 2 for forming a patterned resist film on the insulating film; step 3 for etching the insulating film using the patterned resist film as a mask, to form the insulating film having an opening; step 4 for removing the patterned resist film; step 5 for filling the opening of the insulating film that has the opening, with a metal; and step 6 for carrying out chemical-mechanical polishing on the insulating film filled with the metal, wherein, in at least one of the steps 1-6, a liquid chemical containing an organic solvent and metal impurities that contain at least one metal atom selected from the group consisting of an Fe atom, a Cr atom, an Ni atom, and a Pb atom is used, the total content of the metal atoms in the liquid chemical being 0.1-100 ppt by mass.
(FR)La présente invention concerne : un procédé de production d'une puce semi-conductrice présentant un excellent rendement de production; et un kit. Le procédé de fabrication d'une puce semi-conductrice selon la présente invention comprend : une étape 1 pour former un film isolant sur un substrat; étape 2 pour former un film de réserve à motifs sur le film isolant; étape 3 pour graver le film isolant à l'aide du film de réserve à motifs en tant que masque, pour former le film isolant ayant une ouverture; étape 4 pour retirer le film de réserve à motifs; étape 5 pour remplir l'ouverture du film isolant qui a l'ouverture, avec un métal; et une étape 6 pour effectuer un polissage chimico-mécanique sur le film isolant rempli du métal, dans au moins l'une des étapes 1 à 6, un produit chimique liquide contenant un solvant organique et des impuretés métalliques qui contiennent au moins un atome de métal choisi dans le groupe constitué par un atome de Fe, un atome de Cr, un atome de Ni et un atome de Pb étant utilisé, la teneur totale des atomes de métal dans le produit chimique liquide étant de 0,1 à 100 ppt en masse.
(JA)本発明は、製造歩留まりに優れる半導体チップの製造方法、キットを提供する。本発明の半導体チップの製造方法は、基材上に、絶縁膜を形成する工程1と、絶縁膜上に、パターン状のレジスト膜を形成する工程2と、パターン状のレジスト膜をマスクとして、絶縁膜をエッチングして、開口部を有する絶縁膜を形成する工程3と、パターン状のレジスト膜を除去する工程4と、開口部を有する絶縁膜の開口部を金属で充填する工程5と、金属が充填された絶縁膜に対して、化学機械研磨を実施する工程6と、を有する半導体チップの製造方法であって、工程1~工程6の少なくとも1つの工程において、有機溶剤、及び、Fe原子、Cr原子、Ni原子、及び、Pb原子からなる群から選択される少なくとも1種の金属原子を含む金属不純物を含む薬液であって、薬液中における、金属原子の合計含有量が0.1~100質量pptである薬液を使用する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)