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1. (WO2018062467) PROCÉDÉ DE LIAISON DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE LIAISON DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2018/062467 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035423
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,B23K 20/00 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
20
Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p.ex. revêtement ou placage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
Déposants :
ボンドテック株式会社 BONDTECH CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市南区吉祥院石原西町77 77, Kisshoin-ishiharanishi-machi, Minami-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6018366, JP
Inventeurs :
山内 朗 YAMAUCHI Akira; JP
Mandataire :
木村 満 KIMURA Mitsuru; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19311630.09.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE BONDING METHOD AND SUBSTRATE BONDING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE LIAISON DE SUBSTRAT
(JA) 基板接合方法および基板接合装置
Abrégé :
(EN) A substrate bonding device (100) causes a central portion of a bonding surface of a substrate (301) to contact a bonding surface of a substrate (302) with respect to the substrate (301), with the substrate (301) being warped such that the central portion, compared with a peripheral portion, of the bonding surface of the substrate (301) with respect to the substrate (302) protrudes on the substrate (302) side. In this case, the substrate bonding device (100) holds the peripheral portion of the substrate (301) to stop the progress of a temporary bonding of the substrate (301) and the substrate (302). The substrate bonding device (100) then measures a positioning error amount of the substrate (301) with respect to the substrate (302). Thereafter, the substrate bonding device (100) causes the bonding surface of the substrate (301) to be separated from the bonding surface of the substrate (302).
(FR) Un dispositif de liaison de substrat (100) amène une partie centrale d'une surface de liaison d'un substrat (301) à entrer en contact avec une surface de liaison d'un substrat (302) par rapport au substrat (301), avec le substrat (301) étant gauchie de telle sorte que la partie centrale, par rapport à une partie périphérique, de la surface de liaison du substrat (301) par rapport au substrat (302) fait saillie sur le côté du substrat (302). Dans ce cas, le dispositif de liaison de substrat (100) maintient la partie périphérique du substrat (301) pour arrêter la progression d'une liaison temporaire du substrat (301) et du substrat (302). Le dispositif de liaison de substrat (100) mesure ensuite une quantité d'erreur de positionnement du substrat (301) par rapport au substrat (302). Ensuite, le dispositif de liaison de substrat (100) amène la surface de liaison du substrat (301) à être séparée de la surface de liaison du substrat (302).
(JA) 基板接合装置(100)は、基板(301)の基板(302)との接合面の中央部が周部に比べて基板(302)側に突出するように基板(301)を撓ませた状態で、基板(301)の接合面の中央部を基板(302)の基板(301)との接合面に接触させる。このとき、基板接合装置(100)は、基板(301)の周部を保持することにより基板(301)と基板(302)との仮接合の進行を停止させる。そして、基板接合装置(100)は、基板(301)の基板(302)に対する位置ずれ量を測定する。その後、基板接合装置(100)は、基板(301)の接合面を基板(302)の接合面から離脱させる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)