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1. (WO2018062408) STRATIFIÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2018/062408    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/035287
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 23/12 (2006.01), B32B 7/06 (2006.01), B32B 15/08 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : FUKUHARA Kei; (JP)
Mandataire : SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-194840 30.09.2016 JP
Titre (EN) LAMINATE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) STRATIFIÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 積層体および半導体素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a laminate that includes a temporary adhesion film and a resin film, wherein the temporary adhesion film and the resin film can be separated without the intermixing or the like of the layers. Also provided is a manufacturing method for a semiconductor element that uses said laminate The laminate includes: a temporary adhesion film, resin patterns that are located on a surface of the temporary adhesion film, and a metal that is located at least between the resin patterns, wherein the resin patterns include a surfactant.
(FR)L'invention concerne un stratifié qui comprend un filmà 'adhérence temporaire et un film de résine, le film à adhérence temporaire et le film de résine pouvant être séparés sans mélange ou autre entre les couches. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur qui utilise ledit stratifié. Un stratifié comprend: un film à adhérence temporaire; des motifs de résine qui sont situés sur une surface du film à adhérence temporaire; et un métal qui est situé au moins entre les motifs de résine, lesquels motifs de résine comprennent un tensioactif.
(JA)仮接着膜と樹脂膜を含む積層体であって、仮接着膜と樹脂膜とが層間で混合等することなく分離可能な積層体、および、上記積層体を利用した半導体素子の製造方法の提供。仮接着膜と、上記仮接着膜の表面に位置する樹脂パターンと、少なくとも、上記樹脂パターンの間に位置する金属とを含み、上記樹脂パターンが界面活性剤を含む、積層体。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)