Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018062319) FEUILLE D'ÉLECTRODE ET CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/062319 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035058
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
H01G 9/04 (2006.01) ,C25F 3/04 (2006.01) ,H01G 9/035 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
9
Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la température; Procédés pour leur fabrication
004
Détails
04
Electrodes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
F
PROCÉDÉS POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR ENLÈVEMENT ÉLECTROLYTIQUE DE MATIÈRE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3
Attaque de surface ou polissage électrolytique
02
Attaque de surface
04
des métaux légers
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
9
Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la température; Procédés pour leur fabrication
004
Détails
022
Électrolytes; Absorbants
035
Électrolytes liquides, p.ex. matériaux d'imprégnation
Déposants :
日本ケミコン株式会社 NIPPON CHEMI-CON CORPORATION [JP/JP]; 東京都品川区大崎五丁目6番4号 5-6-4, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418605, JP
Inventeurs :
吉田 敦 YOSHIDA, Atsushi; JP
Mandataire :
木内 光春 KIUCHI, Mitsuharu; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19452030.09.2016JP
Titre (EN) ELECTRODE FOIL AND ELECTROLYTIC CAPACITOR
(FR) FEUILLE D'ÉLECTRODE ET CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE
(JA) 電極箔及び電解コンデンサ
Abrégé :
(EN) The present invention provides an electrode foil that satisfies both the strength and thinness of an electrode foil and allows for an improvement in the capacity of the entire foil, and an electrolytic capacitor that uses the electrode foil. A tunnel-shaped etching pit is formed in a surface of the electrode foil provided in the electrolytic capacitor that is used in a frequency region of 100 kHz or more, and the depth of the etching pit is no more than 27 μm.
(FR) La présente invention concerne une feuille d'électrode qui satisfait à la fois aux exigences de résistance et de minceur d'une feuille d'électrode et qui permet une amélioration de la capacité de la feuille entière, et un condensateur électrolytique qui utilise la feuille d'électrode. Une figure d'attaque en forme de tunnel est formée dans une surface de la feuille d'électrode disposée dans le condensateur électrolytique, lequel est utilisé dans une région de fréquence de 100 kHz ou plus, et la profondeur de la figure d'attaque n'est pas supérieure à 27 µm.
(JA) 電極箔の強度と電極箔の薄さを両立し、箔全体の容量を向上させることのできる電極箔及びこの電極箔を用いた電解コンデンサを提供する。100kHz以上の周波数領域で使用される電解コンデンサに備えられる電極箔の表面にトンネル状のエッチングピットを形成し、このエッチングピットの深さは27μm以下とする。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)