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1. (WO2018062305) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/062305 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035022
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 27.09.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 24.07.2018
CIB :
H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22
Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
Déposants :
日機装株式会社 NIKKISO CO., LTD. [JP/JP]; 東京都渋谷区恵比寿4丁目20番3号 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku Tokyo 1506022, JP
SCIVAX株式会社 SCIVAX CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市幸区新川崎7-7 NANOBIC NANOBIC bldg. 7-7 Shin-Kawasaki, Saiwai-Ku, Kawasaki-Shi Kanagawa 2120032, JP
Inventeurs :
丹羽 紀隆 NIWA Noritaka; JP
稲津 哲彦 INAZU Tetsuhiko; JP
須崎 泰正 SUZAKI Yasumasa; JP
縄田 晃史 NAWATA Akifumi; JP
田中 覚 TANAKA Satoru; JP
Mandataire :
森下 賢樹 MORISHITA Sakaki; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19415330.09.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
Abrégé :
(EN) A semiconductor light-emitting element 10, provided with a light extraction layer (substrate 22) having a light extraction surface (main surface 22b). The light extraction layer has a plurality of cone-shaped parts 52 formed in an array shape on the light extraction surface, and a plurality of granular parts 56 formed on both the side surface sections of the cone-shaped parts 52 and flat parts located in valleys between adjacent cone-shaped parts 52. A method for manufacturing a semiconductor light-emitting element 10, provided with a step for forming a mask having an array-shaped pattern on a light extraction surface, and a step for etching the light extraction layer and a mask from above the mask. The step for etching includes a first dry-etching step for performing dry-etching until all of the mask is removed, and a second dry-etching step for further dry-etching the light extraction layer after the mask has been removed.
(FR) L'invention concerne un élément émetteur de lumière à semi-conducteur 10, pourvu d'une couche d'extraction de lumière (substrat 22) comprenant une surface d'extraction de lumière (surface principale 22b). La couche d'extraction de lumière comporte une pluralité de parties en forme de cône 52 agencées sous une forme de réseau sur la surface d'extraction de lumière, ainsi qu'une pluralité de parties granulaires 56 formées sur les deux sections de surface latérale des parties en forme de cône 52 et sur les parties plates situées dans les creux entre les parties en forme de cône adjacentes 52. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un élément émetteur de lumière à semi-conducteur 10, comprenant une étape consistant à former un masque à motif en forme de réseau sur une surface d'extraction de lumière, et une étape consistant à graver la couche d'extraction de lumière et un masque depuis le dessus du masque. L'étape de gravure comprend une première étape de gravure à sec consistant à effectuer une gravure à sec jusqu'à ce que tout le masque soit éliminé, et une seconde étape de gravure à sec consistant à graver à sec plus avant la couche d'extraction de lumière après l'élimination du masque.
(JA) 半導体発光素子10は、光取出面(主面22b)を有する光取出層(基板22)を備える。光取出層は、光取出面にアレイ状に形成される複数の錐形状部52と、錐形状部52の側面部および隣接する錐形状部52の谷間に位置する平坦部の双方に形成される複数の粒状部56と、を有する。半導体発光素子10の製造方法は、光取出層上にアレイ状のパターンを有するマスクを形成する工程と、マスクの上からマスクおよび光取出層をエッチングする工程とを備える。エッチングする工程は、マスクの全体が除去されるまでドライエッチングする第1ドライエッチング工程と、マスクが除去されてから光取出層をさらにドライエッチングする第2ドライエッチング工程とを含む。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)