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1. (WO2018062220) MATÉRIAU DE LIAISON ET PROCÉDÉ DE LIAISON UTILISANT CELUI-CI
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N° de publication : WO/2018/062220 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/034837
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
B22F 1/00 (2006.01) ,B22F 1/02 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22
FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
F
TRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
1
Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22
FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
F
TRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
1
Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes
02
comportant un enrobage des particules
Déposants :
DOWAエレクトロニクス株式会社 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田4-14-1 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021, JP
Inventeurs :
遠藤 圭一 ENDOH Keiichi; JP
金杉 実奈美 KANASUGI Minami; JP
藤本 英幸 FUJIMOTO Hideyuki; JP
栗田 哲 KURITA Satoru; JP
Mandataire :
大川 浩一 OKAWA Koichi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19433230.09.2016JP
2017-18312325.09.2017JP
Titre (EN) BONDING MATERIAL AND BONDING METHOD USING SAME
(FR) MATÉRIAU DE LIAISON ET PROCÉDÉ DE LIAISON UTILISANT CELUI-CI
(JA) 接合材およびそれを用いた接合方法
Abrégé :
(EN) Provided is a bonding material that can be easily printed on a metal substrate such as a copper substrate, and that makes it possible, when an Si chip is bonded to the metal substrate, to prevent voids from being produced in a metal bonding layer or at the interface between the metal bonding layer and the Si chip or the copper substrate even when preliminary firing is not performed, and obtain a satisfactory bonding. Also provided is a bonding method in which the bonding material is used. A bonding material comprising a metal paste containing metal particles, a solvent, and a dispersant, wherein: the metal particles comprise first metal particles (small particles) having an average primary particle diameter of 1-40 nm, second metal particles (medium particles) having an average primary particle diameter of 41-110 nm, and third metal particles (large particles) having an average primary particle diameter of 120 nm-10 μm; the first metal particles are contained in a proportion of 1.4-49 mass%, the second metal particles are contained in a proportion of 36 mass% or less, and the third metal particles are contained in a proportion of 50-95 mass% to a total of 100 mass% of the metal particles; and the ratio of the mass of the second metal particles to the mass of the first metal particles is 14/36 or higher.
(FR) La présente invention concerne un matériau de liaison qui peut être facilement imprimé sur un substrat métallique tel qu’un substrat de cuivre, et qui permet, lorsqu’une puce de Si est liée au substrat métallique, pour éviter que des vides soient produits dans une couche de liaison métallique ou à l’interface entre la couche de liaison métallique et la puce de Si ou le substrat de cuivre même lorsqu’une cuisson préliminaire n’est pas effectuée, et obtenir une liaison satisfaisante. L’invention concerne en outre un procédé de mesure dans lequel le matériau de liaison est utilisé. L’invention concerne un matériau de liaison comprenant une pâte métallique contenant des particules métalliques, un solvant et un dispersant, les particules métalliques comprenant des premières particules métalliques (petites particules) ayant un diamètre de particule primaire moyen de 1 à 40 nm, des deuxièmes particules métalliques (particules moyennes) ayant un diamètre de particule primaire moyen de 41 à 110 nm, et des troisièmes particules métalliques (grosses particules) ayant un diamètre de particule primaire moyen de 120 nm à 10 µm ; les premières particules métalliques sont contenues dans une proportion de 1,4 à 49 % en masse, les deuxièmes particules métalliques sont contenues dans une proportion de 36 % en masse ou moins, et les troisièmes particules métalliques sont contenues dans une proportion de 50 à 95 % en masse à un total de 100 % en masse des particules métalliques ; et le rapport de la masse des deuxièmes particules métalliques à la masse des premières particules métalliques est de 14/36 ou plus.
(JA) 銅基板などの金属基板に印刷し易く且つSiチップを金属基板に接合する際に予備焼成を行わなくても金属接合層内や金属接合層とSiチップや銅基板との界面にボイドが生じるのを防止して良好に接合することができる、接合材およびそれを用いた接合方法を提供する。金属粒子と溶剤と分散剤を含む金属ペーストからなる接合材において、金属粒子が、平均一次粒子径1~40nmの第1の金属粒子(小粒子)と、平均一次粒子径41~110nmの第2の金属粒子(中粒子)と、平均一次粒子径120nm~10μmの第3の金属粒子(大粒子)とからなり、金属粒子の合計100質量%に対して、第1の金属粒子を1.4~49質量%、第2の金属粒子を36質量%以下、第3の金属粒子を50~95質量%の割合にし、第2の金属粒子の質量に対する第1の金属粒子の質量の比を14/36以上にする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)