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1. (WO2018061969) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/061969    International Application No.:    PCT/JP2017/034071
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 22 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/786
C23C 14/08
C23C 14/58
G02F 1/1368
H01L 21/28
H01L 21/336
H01L 21/363
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: SUZUKI Masahiko
鈴木 正彦
IMAI Hajime
今井 元
KITAGAWA Hideki
北川 英樹
KIKUCHI Tetsuo
菊池 哲郎
NISHIMIYA Setsuji
西宮 節治
UEDA Teruyuki
上田 輝幸
HARA Kengo
原 健吾
DAITOH Tohru
大東 徹
ITOH Toshikatsu
伊藤 俊克
Title: DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend un transistor à couche mince 101 qui comprend une couche semi-conductrice 7, une électrode de grille 3, une couche d'isolation de grille 5, une électrode de source 8 et une électrode de drain 9. La couche semi-conductrice 7 a une structure en couches qui comprend : une première couche semi-conductrice d'oxyde 71 comprenant de l'indium et du zinc, dans laquelle le rapport atomique de l'indium à tous les éléments métalliques compris dans la première couche semi-conductrice d'oxyde est supérieur à celui du zinc; une seconde couche semi-conductrice d'oxyde 72 comprenant de l'indium et du zinc, dans laquelle le rapport atomique du zinc à tous les éléments métalliques compris dans la seconde couche semi-conductrice d'oxyde est supérieur à celui de l'indium; et une couche semi-conductrice d'oxyde intermédiaire 70 disposée entre la première couche semi-conductrice d'oxyde et la seconde couche semi-conductrice d'oxyde. Les première et seconde couches semi-conductrices d'oxyde sont des couches semi-conductrices d'oxyde cristallin; la couche semi-conductrice d'oxyde intermédiaire est une couche semi-conductrice d'oxyde non cristallin; et la première couche semi-conductrice d'oxyde 71 est disposée plus près de la couche d'isolation de grille 5 que la seconde couche semi-conductrice d'oxyde 72.