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1. (WO2018061965) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEURS, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROGRAMME
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N° de publication : WO/2018/061965 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/034048
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 21.09.2017
CIB :
H01L 21/316 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
40
Oxydes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
Déposants : KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Inventeurs : UEDA, Tatsushi; JP
ITATANI, Hideharu; JP
TAIRA, Yuki; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19101629.09.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEURS, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
Abrégé :
(EN) [Problem] The present invention addresses the problem of providing a technology of achieving uniformity of a thin film thickness within the plane of a substrate, and uniformity among the thin film thicknesses of a plurality of substrates. [Solution] The present invention performs: a step for placing a plurality of substrates on a substrate placing table that is provided in a treatment chamber such that the substrate placing table can freely rotate, said plurality of substrates being placed in the rotating direction of the substrate placing table; a step for rotating the substrate placing table such that the substrates pass a first treatment region and a second treatment region, which are provided in the treatment chamber in the rotating direction of the substrate placing table; a step for supplying a first element-containing gas into the first treatment region, said first element-containing gas containing a first element; and a step for generating active species by plasma-exciting a mixed gas that contains oxygen gas and hydrogen gas, and supplying the active species into the second treatment region. The ratio between the oxygen gas and the hydrogen gas in the mixed gas is a predetermined ratio within the range of 95:5-50:50.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une technologie permettant d'obtenir l'uniformité d'une épaisseur de film mince dans le plan d'un substrat, et l'uniformité parmi les épaisseurs de film mince d'une pluralité de substrats. A cet effet, la présente invention réalise : une étape consistant à placer une pluralité de substrats sur une table de placement de substrat qui est disposée dans une chambre de traitement de telle sorte que la table de placement de substrat puisse tourner librement, ladite pluralité de substrats étant placés dans la direction de rotation de la table de placement de substrat; une étape consistant à faire tourner la table de placement de substrat de telle sorte que les substrats passent une première région de traitement et une seconde région de traitement, qui sont disposées dans la chambre de traitement dans la direction de rotation de la table de placement de substrat; une étape consistant à fournir un premier gaz contenant un élément dans la première zone de traitement, ledit premier gaz contenant un élément contenant un premier élément; et une étape consistant à générer des espèces actives par excitation par plasma d'un gaz mixte qui contient de l'oxygène gazeux et de l'hydrogène gazeux, et à fournir l'espèce active dans la seconde région de traitement. Le rapport entre le gaz oxygène et le gaz hydrogène dans le gaz mixte est un rapport prédéterminé dans la plage de 95:5 à 50:50.
(JA) 課題: 基板の面内における薄膜の膜厚や、複数の基板間における薄膜の膜厚を均一にする技術を提供する。 解決手段: 処理室内に回転自在に設けられた基板載置台上に、基板載置台の回転方向に沿って複数の基板を載置する工程と、基板載置台の回転方向に沿って処理室内に設けられた第1処理領域および第2処理領域を基板が通過するように基板載置台を回転させる工程と、第1処理領域内に第1元素を含有する第1元素含有ガスを供給する工程と、酸素ガス及び水素ガスを含む混合ガスをプラズマ励起して活性種を生成し、活性種を第2処理領域内に供給する工程と、を行う。混合ガスにおける酸素ガスと水素ガスの比率は95:5~50:50の範囲の所定の比率である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)