WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018061960) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'OBTENTION DE RÉPARTITION D'INTENSITÉ D'EXPOSITION DANS UN DISPOSITIF DE LITHOGRAPHIE PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS MULTIFAISCEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/061960    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/034033
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 21.09.2017
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01J 37/305 (2006.01)
Déposants : DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Ichigaya-Kaga-cho 1-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1628001 (JP)
Inventeurs : SHIMOMURA Takeya; (JP).
OHKAWA Youhei; (JP)
Mandataire : SHIMURA Hiroshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-191102 29.09.2016 JP
2017-171637 07.09.2017 JP
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR OBTAINING EXPOSURE INTENSITY DISTRIBUTION IN MULTIBEAM ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'OBTENTION DE RÉPARTITION D'INTENSITÉ D'EXPOSITION DANS UN DISPOSITIF DE LITHOGRAPHIE PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS MULTIFAISCEAU
(JA) マルチビーム電子線描画装置における露光強度分布を求める方法および装置
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to obtain, in a highly accurate manner and in a short period of time, the exposure intensity distribution on a layer to be shaped. The exposure intensity distribution, when lithography data in which pixels P(i, j) having pixel values represented by the intensity of an electron beam at each respective irradiation position are arranged at a pitch d is inputted into a multibeam electron beam lithography device, is computationally obtained. Each of the pixels P (i, j) is split vertically and horizontally into five parts and cells (m, n) having a width g are defined. An irradiation intensity matrix representing the electron beam irradiation intensity distribution is created by an aggregation of a large number of the cells C (m, n). A representative cell, which is at the center of each of the pixels, is imparted with a pixel value of the pixel in question, and the other cells are imparted with a value of zero. A point spread matrix, which corresponds to a point spread function psf representing the distribution of the degree of effect from the center position to the surroundings, is created. The exposure intensity distribution is obtained by convolution integration using the two matrices. A function that has a flat section H having a width corresponding to the opening size of the aperture of the electron beam lithography device is used as the point spread function psf.
(FR)La présente invention vise à obtenir, de manière extrêmement précise et en un court laps de temps, une répartition d'intensité d'exposition sur une couche à façonner. Lorsque des données de lithographie, dans lesquelles des pixels P (i, j) dont des valeurs de pixel sont représentées par l'intensité d'un faisceau d'électrons à chaque position respective de rayonnement sont agencés à un pas d, sont entrées dans un dispositif de lithographie par faisceau d'électrons multifaisceau, la répartition d'intensité d'exposition est obtenue par calcul. Chaque pixel des pixels P (i, j) est divisé verticalement et horizontalement en cinq parties, et des cellules (m, n) présentant une largeur g sont délimitées. Une matrice d'intensité de rayonnement représentant la répartition d'intensité de rayonnement par faisceau d'électrons est créée au moyen d'un regroupement d'un grand nombre de cellules C (m, n). Une cellule représentative, située au centre de chaque pixel, est dotée d'une valeur de pixel du pixel en question, et les autres cellules sont dotées d'une valeur de zéro. Une matrice d'étalement ponctuel, qui correspond à une fonction d'étalement ponctuel (PSF) représentant la répartition du degré d'effet de la position centrale à la périphérie, est créée. La répartition d'intensité d'exposition est obtenue au moyen d'une intégration de convolution à l'aide des deux matrices. Une fonction qui comporte une section plate H comportant une largeur correspondant à la taille d'ouverture de l'ouverture du dispositif de lithographie par faisceau d'électrons est utilisée comme fonction d'étalement ponctuel (PSF).
(JA)被成形層についての露光強度分布を高精度で、かつ、短時間に求める。電子ビームの各照射位置の強度を画素値とする画素P(i,j)をピッチdで配列した描画データをマルチビーム電子線描画装置に与えたときの露光強度分布を演算で求める。各画素P(i,j)を縦横5分割し、幅gをもつセルC(m,n)を定義し、多数のセルC(m,n)の集合体により、電子線照射強度分布を示す照射強度マトリックスを作成する。各画素の中心の代表セルには、当該画素の画素値を与え、それ以外のセルには値0を与える。中心位置から周囲への影響の度合いの分布を示す点拡がり関数psfに対応する点拡がりマトリックスを作成し、両マトリックスを用いた畳み込み積分により露光強度分布を求める。点拡がり関数psfとして、電子線描画装置のアパーチャーの開口サイズに応じた幅をもつ平坦部Hを有する関数を用いる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)