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1. (WO2018061860) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2018/061860 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/033695
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 19.09.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1ー1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs :
▲高▼橋 弘明 TAKAHASHI Hiroaki; JP
岩畑 翔太 IWAHATA Shota; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-18953228.09.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法及び基板処理装置
Abrégé :
(EN) Provided is a technique for effectively removing organic material such as a polymer while suppressing deterioration of a structure formed on a substrate. In a modification treatment part 10, a substrate 90 is heated on the surface of which organic material such as a polymer remains, and the surface of the substrate 90 is irradiated with UV light while bringing an oxidizing gas containing an ozone gas into contact with the surface, thereby modifying the organic material such as a polymer. Thereafter, in a removal liquid processing part 20, a removal liquid is supplied to the substrate 90 which has undergone the modification treatment, thereby removing the organic material such as a polymer.
(FR) La présente invention concerne une technique permettant d'éliminer efficacement un matériau organique tel qu'un polymère tout en supprimant la détérioration d'une structure formée sur un substrat. Dans une partie de traitement de modification (10), un substrat (90) est chauffé sur la surface duquel un matériau organique tel qu'un polymère reste, et la surface du substrat (90) est irradiée par une lumière UV tout en mettant un gaz oxydant contenant un gaz d'ozone en contact avec la surface, ce qui permet de modifier le matériau organique tel qu'un polymère. Ensuite, dans une partie de traitement de liquide d'élimination (20), un liquide d'élimination est fourni au substrat (90) qui a subi le traitement de modification, ce qui permet d'éliminer le matériau organique tel qu'un polymère.
(JA) 基板上に形成された構造物の劣化を抑制しつつ、ポリマー等の有機物を効果的に除去する技術を提供する。改質処理部10において、表面にポリマー等の有機物が残存する基板90を加熱するとともに、その基板90の表面に対してオゾンガスを含む酸化性ガスを接触させつつUVを照射することによって、ポリマー等の有機物を改質する。その後、除去液処理部20において、改質処理された基板90に除去液を供給することによって、ポリマー等の有機物を除去する。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)