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1. (WO2018061821) COMPOSITION SERVANT À FORMER UN FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
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N° de publication : WO/2018/061821 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/033409
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 15.09.2017
CIB :
H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/40 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
仮屋 俊博 KARIYA, Toshihiro; JP
福▲崎▼ 英治 FUKUZAKI, Eiji; JP
後藤 崇 GOTO, Takashi; JP
渡邉 哲也 WATANABE, Tetsuya; JP
Mandataire :
特許業務法人イイダアンドパートナーズ IIDA & PARTNERS; 東京都港区新橋3丁目1番10号 石井ビル3階 ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
飯田 敏三 IIDA, Toshizo; JP
赤羽 修一 AKABA, Shuichi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19191529.09.2016JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) COMPOSITION SERVANT À FORMER UN FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機半導体膜形成用組成物、有機半導体膜及びその製造方法、並びに、有機半導体素子
Abrégé :
(EN) A composition for forming an organic semiconductor film, which contains at least two organic semiconductors, and wherein one organic semiconductor is a low-molecular-weight organic semiconductor compound having a molecular weight of 5,000 or less and another organic semiconductor is a fused heterocyclic compound that is represented by a specific general formula (1) and has a chemical structure different from that of the low-molecular-weight organic semiconductor compound, while having a molecular weight of 3,000 or less; an organic semiconductor film which is formed from this composition for forming an organic semiconductor film; an organic semiconductor element; and a method for producing an organic semiconductor film.
(FR) Une composition pour former un film semi-conducteur organique, qui contient au moins deux semi-conducteurs organiques, et un semi-conducteur organique étant un composé semi-conducteur organique de faible poids moléculaire ayant un poids moléculaire de 5,000 ou moins et un autre semi-conducteur organique étant un composé hétérocyclique fusionné qui est représenté par une formule générale spécifique (1) et a une structure chimique différente de celle du composé semi-conducteur organique de faible poids moléculaire, tout en ayant un poids moléculaire de 3,000 ou moins; un film semi-conducteur organique qui est formé à partir de cette composition pour former un film semi-conducteur organique; un élément semi-conducteur organique; et un procédé de production d'un film semi-conducteur organique.
(JA) 少なくとも2種の有機半導体を含有する有機半導体膜形成用組成物であって、有機半導体の1種が分子量5000以下の低分子有機半導体化合物であり、有機半導体の別の1種が特定の一般式(1)で表される縮合ヘテロ環化合物であって上記低分子有機半導体化合物と異なる化学構造を有し、かつ分子量が3000以下の縮合ヘテロ環化合物である、有機半導体膜形成用組成物、この有機半導体膜形成用組成物で形成された有機半導体膜及び有機半導体素子、並びに、有機半導体膜の製造方法。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)