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1. (WO2018061820) TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE À GRILLE INFÉRIEURE
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N° de publication :    WO/2018/061820    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/033408
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 15.09.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.02.2018    
CIB :
H01L 51/30 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : GOTO, Takashi; (JP).
FUKUZAKI, Eiji; (JP).
WATANABE, Tetsuya; (JP)
Mandataire : IIDA & PARTNERS; ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP).
IIDA, Toshizo; (JP).
AKABA, Shuichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-191914 29.09.2016 JP
Titre (EN) BOTTOM GATE-TYPE ORGANIC SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE À GRILLE INFÉRIEURE
(JA) ボトムゲート型有機半導体トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a bottom gate-type organic semiconductor transistor which exhibits sufficient carrier mobility, has little variation in performance between elements, and also reduces power consumption. [Solution] Provided is a bottom gate-type organic semiconductor transistor which is provided with: a gate insulating layer; and an organic semiconductor layer which is provided in contact with the top of the gate insulating layer. The surface of the gate insulating layer at the side of the organic semiconductor layer has a surface free energy of 20-50 mN/m, and an arithmetic average roughness Ra of 2 nm or lower. The organic semiconductor layer includes a compound which has a molecular weight of 3000 or lower, and which is represented by general formula (1). X, Y, and Z represent specific ring-forming atoms. R1 and R2 each represent hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. R3 and R4 each represent a halogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. m and n are integers in the range of 0-2.
(FR)La présente invention a pour but de fournir un transistor à semi-conducteur organique à grille inférieure qui présente une mobilité de porteurs de charge suffisante, qui possède une faible variation de fonctionnement entre les éléments et qui réduise la consommation d'énergie. Pour atteindre ce but, l'invention porte sur un transistor à semi-conducteur organique, à grille inférieure, qui est pourvu : d'une couche d'isolation de grille; d'une couche semi-conductrice organique disposée en contact avec la partie supérieure de la couche d'isolation de grille. La surface de la couche d'isolation de grille du côté de la couche semi-conductrice organique possède une énergie libre superficielle de 20 à 50 mN/m, et une rugosité moyenne arithmétique Ra inférieure ou égale à 2 nm. La couche semi-conductrice organique comprend un composé qui possède un poids moléculaire inférieur ou égal à 3 000 et qui est représenté par la formule générale (1). X, Y et Z représentent des atomes formant un cycle spécifique. R1 et R2 représentent chacun un atome d'hydrogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe alcynyle, un groupe aryle ou un groupe hétéro-aryle. R3 et R4 représentent chacun un atome d'halogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe alcynyle, un groupe aryle ou un groupe hétéro-aryle. m et n sont des nombres entiers dans la plage de 0 à 2.
(JA)【課題】 十分なキャリア移動度を示し、素子間の性能のばらつきが少なく、消費電力も抑えたボトムゲート型有機半導体トランジスタを提供することを課題とする。 【解決手段】 ゲート絶縁層と、このゲート絶縁層上に接して配された有機半導体層とを有するボトムゲート型有機半導体トランジスタであって、 上記ゲート絶縁層の上記有機半導体層側表面において、表面自由エネルギーが20~50mN/m、算術平均粗さRaが2nm以下であり、上記有機半導体層が下記一般式(1)で表わされる分子量3000以下の化合物を含む、ボトムゲート型有機半導体トランジスタ。 X、Y及びZは特定の環構成原子を示す。R及びRは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基を、R及びRはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を示す。mおよびnは0~2の整数である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)